[發明專利]具有襯底噪聲隔離的方法及圖像傳感器

有效

• 申請號: 201310705678.5
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104065893B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 代鐵軍
• 申請（專利權）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號: H04N5/374
• 分類號: H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378;H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 齊楊

技術領域

所描述實施例大體來說涉及圖像傳感器，且特定來說(但非排他性地)涉及一種具有襯底噪聲隔離的圖像傳感器。

背景技術

圖像傳感器廣泛地用于數碼靜物相機、蜂窩式電話、安全攝像機、醫療、汽車及其它應用中。使用互補金屬氧化物半導體(“CMOS”)技術在硅襯底上制造低成本圖像傳感器。

大多數CMOS圖像傳感器包含用于捕獲圖像的像素的二維陣列。所述像素陣列通常連同各種支持電路一起形成于襯底中及／或襯底上。如其名稱所暗示，所述支持電路支持像素陣列捕獲圖像的操作。在許多情況中，其中形成像素陣列及支持電路的襯底為半導體。一些類型的支持電路可產生充足電平的噪聲使得所述噪聲可通過半導體襯底電發射且不利地影響較具噪聲敏感性的組件(例如像素陣列)的操作。

發明內容

在一方面中，本發明提供一種方法，其包括：在襯底中形成背側照明式(BSI)圖像傳感器，所述圖像傳感器包含：像素陣列，其形成于所述襯底的前表面中或附近；及一個或一個以上電路塊，其形成于所述襯底中在所述像素陣列附近，每一電路塊包含至少一個支持電路；在所述襯底的所述前表面上形成互連層，所述互連層包括其內嵌入跡線及通孔的電介質，其中所述跡線及通孔將所述像素陣列電耦合到所述一個或一個以上支持電路中的至少一者；環繞所述一個或一個以上電路塊中的至少一者形成隔離溝槽以將所述像素陣列及其它電路塊與由被所述隔離溝槽環繞的所述電路塊內的所述至少一個支持電路產生的噪聲隔離。

在另一方面中，本發明提供一種背側照明式(BSI)圖像傳感器，其包括：像素陣列，其形成于襯底的前表面中；一個或一個以上電路塊，其形成于所述襯底中在所述像素陣列附近，每一電路塊包含至少一個支持電路；互連層，其形成于所述襯底的所述前表面上，所述互連層包括其內嵌入跡線及通孔的電介質，其中所述像素陣列通過所述跡線及通孔電耦合到所述一個或一個以上支持電路中的至少一者；及隔離溝槽，其形成于所述襯底中且完全環繞所述電路塊中的至少一者以將所述像素陣列與由所述被環繞電路塊內的所述一個或一個以上支持電路產生的噪聲隔離。

附圖說明

參考以下各圖描述本發明的非限制性及非詳盡實施例，其中在所有各視圖中相似參考編號指代相似部件，除非另有規定。

圖1是互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器的實施例的示意圖。

圖2A是圖像傳感器的實施例的平面圖。

圖2B是圖2A的圖像傳感器實施例的實質上沿著截面線B-B截取的橫截面圖。

圖3是圖像傳感器的另一實施例的橫截面圖。

圖4是圖像傳感器的又一實施例的平面圖。

具體實施方式

描述用于具有襯底噪聲隔離的圖像傳感器的設備、系統及方法的實施例。描述特定細節以提供對實施例的透徹理解，但相關領域的技術人員將認識到，可在沒有所描述細節中的一者或一者以上的情況下或借助其它方法、組件、材料等實踐本發明。在一些實例中，未詳細展示或描述眾所周知的結構、材料或操作，但盡管如此其仍涵蓋在本發明的范圍內。

在本說明書通篇中對“一個實施例”或“一實施例”的提及意指結合所述實施例所描述的特定特征、結構或特性包含于至少一個所描述的實施例中。因此，短語“在一個實施例中”或“在一實施例中”的出現未必全部指代同一實施例。此外，特定特征、結構或特性可在一個或一個以上實施例中以任何適合方式組合。