[發(fā)明專利]一種Co3O4/In2O3 異質結構納米管及其制備方法與應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310705432.8 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103643350A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 盧啟芳 | 申請(專利權)人: | 齊魯工業(yè)大學 |
| 主分類號: | D01F9/08 | 分類號: | D01F9/08;D01F1/08;D01D5/00;B01J23/825;B01J35/06 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產(chǎn)權代理有限公司 37219 | 代理人: | 楊磊 |
| 地址: | 250353 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 co sub in 結構 納米 及其 制備 方法 應用 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及氧化物納米管的制備,具體涉及一種Co3O4/In2O3異質結構納米管及其制備方法與應用,屬于無機材料領域。
背景技術
一維納米材料與相應的塊體材料相比,由于其優(yōu)異的物理化學性能而得到廣泛的關注,在電子和光學納米器件,化學和生物傳感器、催化、超疏水表面、環(huán)境、能源、生物醫(yī)學領域等諸多領域有著廣泛的應用前景。In2O3是一類n型半導體,Co3O4是一種p型半導體,In2O3和Co3O4復合形成p-n異質結構可有利于載流子的分離,提高其光催化活性。目前制備納米管的方法主要有水熱法,如CN100425538等。
近年來靜電紡絲技術在制備一維納米材料領域得到了廣泛應用,通過靜電紡絲法制備的納米材料具有長徑比大、孔隙率高、比表面積大等優(yōu)點,被認為是制備納米纖維最簡單有效的方法之一。但現(xiàn)有的靜電紡絲技術往往只能制得實心的納米纖維而非納米管狀材料,如CN101905974、CN102251305。
此外,CN103334179也報道了一種制備中空結構氧化銦納米纖維的方法,該方法首先采用聚偏氟乙烯納米纖維為主體,再包裹氧化銦前驅體,最后燒結,從而形成中空結構氧化銦納米纖維,該方法的缺陷在于工序復雜繁瑣,對納米管狀結構的壁厚等不容易控制。
目前,采用靜電紡絲技術直接制備Co3O4/In2O3異質結構納米管,未見相關報道。
發(fā)明內容
針對現(xiàn)有技術中的不足,本發(fā)明提供了一種Co3O4/In2O3異質結構納米管及其制備方法與應用。
本發(fā)明的技術方案如下:
一種Co3O4/In2O3異質結構納米管,是由Co3O4納米顆粒和In2O3納米顆粒構成,Co3O4納米顆粒和In2O3納米顆粒的粒徑為10-20nm;該納米管直徑為100-200nm,壁厚為10-50nm。
根據(jù)本發(fā)明,優(yōu)選的,所述的Co3O4/In2O3異質結構納米管的長度為1-4mm。
根據(jù)本發(fā)明,優(yōu)選的,所述的Co3O4/In2O3異質結構納米管由單層Co3O4納米顆粒和In2O3納米顆粒構成;更優(yōu)選的,Co3O4/In2O3異質結構納米管的壁厚為15-25nm。
根據(jù)本發(fā)明,優(yōu)選的,所述的Co和In的摩爾比為1:(0.5-1.5)。
根據(jù)本發(fā)明,一種Co3O4/In2O3異質結構納米管的制備方法,步驟如下:
(1)將硝酸鈷和硝酸銦溶解在由去離子水和無水乙醇組成的混合溶劑中,加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)至粘度為0.1-1.0Pa·S,攪拌均勻,得到可紡性溶膠;
所述的Co和In的摩爾比為1:(0.5-1.5),所述的混合溶劑中去離子水和無水乙醇的體積比為1:(0.5-1.6);所述的聚乙烯吡咯烷酮的重均分子量為4萬-300萬;
(2)將步驟(1)制得的可紡性溶膠靜電紡絲,制得前驅體纖維;
靜電紡絲的條件:可紡性溶膠的噴出速率為0.1-1.5mL/h,電壓為15-30kV,靜電紡絲溫度控制在20-35℃;
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