[發(fā)明專(zhuān)利]高裸芯片強(qiáng)度的半導(dǎo)體晶圓加工方法和系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310705423.9
• 申請(qǐng)日: 2013-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103887156A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薩沙·默勒;哈特莫特·布寧;馬丁·拉普克;古伊多·阿爾貝曼;托馬斯·羅勒德
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/268
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/268;H01L21/78
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 楊靜

1.一種用于加工半導(dǎo)體晶圓的方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行激光隱形切割，以在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)形成隱形切割層；以及

在進(jìn)行激光隱形切割之后，從半導(dǎo)體晶圓的背面用刀片清潔半導(dǎo)體晶圓，以去除至少部分隱形切割層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)行激光隱形切割包括：施加激光束穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的襯底材料，并使激光束聚集在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的焦點(diǎn)處以改變焦點(diǎn)周?chē)囊r底材料，并在半導(dǎo)體晶圓中擴(kuò)展裂縫。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行激光隱形切割包括：在半導(dǎo)體晶圓上從半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行激光隱形切割，其中半導(dǎo)體晶圓的背面位于半導(dǎo)體晶圓的正面的相反側(cè)，電路層形成在半導(dǎo)體晶圓的正面上。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，清潔半導(dǎo)體晶圓包括：用刀片切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面，在隱形切割層處進(jìn)行切割。

5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面包括：在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)與隱形切割層相同的深度處切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面。

6.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面包括：切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面而并不完全切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓。

7.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面包括：切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面而并不穿透半導(dǎo)體晶圓的正面。

8.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面包括：根據(jù)紅外光源照射的圖案切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面。

9.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面包括：沿著裂縫切割穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的背面。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)行激光隱形切割包括：施加激光束穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的襯底材料，并使激光束聚集在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的焦點(diǎn)處以將焦點(diǎn)周?chē)膯尉Ч杞Y(jié)構(gòu)改變成多晶硅結(jié)構(gòu)，并且在半導(dǎo)體晶圓中擴(kuò)展裂縫。

11.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括在半導(dǎo)體晶圓的正面上應(yīng)用切割帶，其中電路層形成在半導(dǎo)體晶圓的正面上。

12.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，還包括在進(jìn)行激光隱形切割之前，將半導(dǎo)體晶圓減薄到預(yù)定厚度。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在清潔半導(dǎo)體晶圓之后利用擴(kuò)張將半導(dǎo)體晶圓分割成單個(gè)裸芯片。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，并不通過(guò)清潔半導(dǎo)體晶圓將半導(dǎo)體晶圓分割成單個(gè)裸芯片。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，還包括將單個(gè)裸芯片封裝到射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽中。

16.一種用于加工半導(dǎo)體晶圓的系統(tǒng)，其特征在于，包括：

激光隱形切割系統(tǒng)，被配置為在半導(dǎo)體晶圓上進(jìn)行激光隱形切割，以在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)形成隱形切割層；以及

刀片清潔系統(tǒng)，被配置為在進(jìn)行激光隱形切割之后，從半導(dǎo)體晶圓的背面用刀片清潔半導(dǎo)體晶圓，以去除至少部分隱形切割層。

17.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，激光隱形切割系統(tǒng)包括聚焦透鏡，聚焦透鏡被配置為施加激光束穿過(guò)半導(dǎo)體晶圓的襯底材料，并使激光束聚集在半導(dǎo)體晶圓內(nèi)的焦點(diǎn)處以改變焦點(diǎn)周?chē)囊r底材料，并在半導(dǎo)體晶圓中擴(kuò)展裂縫。

18.如權(quán)利要求16所述的系統(tǒng)，其特征在于，激光隱形切割系統(tǒng)還被配置為：在半導(dǎo)體晶圓上從半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行激光隱形切割，其中半導(dǎo)體晶圓的背面位于半導(dǎo)體晶圓的正面的相反側(cè)，在半導(dǎo)體晶圓的正面上形成電路層。