[發明專利]一種用于氫氣傳感器的鎂合金薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201310705198.9
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104730114A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 金平實;郭雨;包山虎
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04;B32B33/00
• 代理公司: 上海海頌知識產權代理事務所(普通合伙) 31258
• 代理人: 何葆芳

1.一種用于氫氣傳感器的鎂合金薄膜，其特征在于：包括由下至上依次設置的基片、鎂合金薄膜材料層、催化層和保護層。

2.如權利要求1所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述基片為玻璃、高分子薄膜或透明陶瓷。

3.如權利要求1所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述鎂合金薄膜材料層的厚度為50～100nm。

4.如權利要求1所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述鎂合金薄膜材料的組成為Mg_xM，其中的M為Ni、Ti、V、Nb、Y、Zr中的一種。

5.如權利要求4所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述鎂合金薄膜材料的組成為Mg_yNi，其中，0.5＜y/(y+1)＜0.9。

6.如權利要求1所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述催化層的厚度為2～10nm。

7.如權利要求1所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述催化層的材料為Pd、Pt或含Pd的合金。

8.如權利要求1所述的鎂合金薄膜，其特征在于：所述保護層的材料為高分子材料。

9.一種制備權利要求1所述鎂合金薄膜的方法，其特征在于，包括如下步驟：

a)對基片進行表面清潔預處理；

b)采用直流磁控濺射法在經步驟a)預處理后的基片上依次沉積鎂合金薄膜材料層和催化層；

c)采用旋涂法在步驟b)得到的催化層上涂覆保護層。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：步驟b)所述的直流磁控濺射的工藝條件為：真空系統由分子泵和機械泵二級組成，真空室本底真空度達10^-5數量級，靶材組分分別為純Mg金屬、純Ni金屬和純Pd金屬；待本底真空度達到要求后，向真空室內充入高純Ar氣體，流量為40sccm，基片轉速15r/min，待沉積壓力穩定在0.7Pa后，開始濺射；步驟c)進行旋涂時的轉速為2000轉/分鐘。