[發(fā)明專利]一種變壓器及其制作方法和芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310704262.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-12-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104733452A | 公開（公告）日： | 2015-06-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 謝豪律;吳章彬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市中興微電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02;H01F27/28;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人： | 張振偉;王黎延 |
| 地址： | 518085 廣*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 變壓器 及其 制作方法 芯片 | ||
1.一種變壓器的制作方法，其特征在于，所述變壓器包括初級(jí)線圈、次級(jí)線圈、第一初級(jí)調(diào)諧電容和第一次級(jí)調(diào)諧電容，所述方法包括：
將所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中；其中所述第一初級(jí)調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二初級(jí)調(diào)諧電容，所述第一次級(jí)調(diào)諧電容包括一個(gè)以上的第二次級(jí)調(diào)諧電容；
并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容，和并聯(lián)連接一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容；一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容及其連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中，包括：
將所有的或部分的一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的空白區(qū)域中或所述空白區(qū)域的正下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述變壓器包括片上無(wú)源變壓器或片上變壓器式巴倫。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；
和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈采用同層金屬對(duì)稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過(guò)渡。
6.一種變壓器，其特征在于，所述變壓器包括：初級(jí)線圈、次級(jí)線圈、第一初級(jí)調(diào)諧電容和第一次級(jí)調(diào)諧電容；其中，所述第一初級(jí)調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二初級(jí)調(diào)諧電容，所述第一次級(jí)調(diào)諧電容包括并聯(lián)連接的一個(gè)以上的第二次級(jí)調(diào)諧電容；
所述第一初級(jí)調(diào)諧電容和/或所述第一次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的區(qū)域中；且一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線、和/或一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容及其之間的連線構(gòu)成一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)或一個(gè)局部屏蔽網(wǎng)絡(luò)的其中一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的變壓器，其特征在于，所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈采用同層金屬對(duì)稱互繞在同一塊襯底上，且金屬線之間交叉的地方采用上層金屬或下層金屬過(guò)渡。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的變壓器，其特征在于，所有的或部分的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容、和/或所有的或部分的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容排布在所述初級(jí)線圈和所述次級(jí)線圈所圍成的空白區(qū)域或所述空白區(qū)域的正下方的正下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的變壓器，其特征在于，所述一個(gè)以上的所述第二初級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等；
和/或，所述一個(gè)以上的所述第二次級(jí)調(diào)諧電容的電容值完全相等或不完全相等。
10.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的變壓器。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
