[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310703930.9
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104733635A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次層疊設置的陽極導電薄膜、有機發光功能層和陰極，其特征在于，

所述有機發光功能層至少包括依次層疊設置在所述陽極導電薄膜表面的發光層和電子注入層，所述電子注入層包括依次層疊設置在所述發光層表面的第一電子注入層和第二電子注入層；

所述第一電子注入層的材質包括噻吩化合物和鋰鹽，所述噻吩化合物為3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一種，所述鋰鹽為氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰和溴化鋰中的至少一種；

所述第二電子注入層的材質包括易結晶電子傳輸材料和低功函數金屬，所述易結晶電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲和2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]中的至少一種，所述低功函數金屬為鎂、鍶、鈣和鐿中的至少一種。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一電子注入層中所述噻吩化合物和所述鋰鹽的質量比為3:1～5:1。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第二電子注入層中所述易結晶電子傳輸材料和所述低功函數金屬的質量比為2:1～15:1。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述第一電子注入層的厚度為20nm～40nm，所述第二電子注入層的厚度為20nm～70nm。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述陽極導電薄膜的材質為銦錫氧化物、摻鋁的氧化鋅或摻銦的氧化鋅；所述陽極導電薄膜的厚度為50nm～300nm。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）提供清潔的玻璃基底，采用磁控濺射的方法在所述玻璃基底表面制備陽極導電薄膜；

（2）在所述陽極導電薄膜表面制備有機發光功能層，所述有機發光功能層至少包括依次層疊設置在所述陽極導電薄膜表面的發光層和電子注入層，所述電子注入層包括依次層疊設置在所述發光層表面的第一電子注入層和第二電子注入層；采用真空蒸鍍的方法制備所述發光層；采用熱阻蒸鍍的方法制備所述第一電子注入層和所述第二電子注入層，制備所述第一電子注入層和所述第二電子注入層的真空度為5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s；

所述第一電子注入層的材質包括噻吩化合物和鋰鹽，所述噻吩化合物為3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一種，所述鋰鹽為氧化鋰、氟化鋰、氯化鋰和溴化鋰中的至少一種；

所述第二電子注入層的材質包括易結晶電子傳輸材料和低功函數金屬，所述易結晶電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲和2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]中的至少一種，所述低功函數金屬為鎂、鍶、鈣和鐿中的至少一種；

（3）采用真空蒸鍍的方法在所述有機發光功能層表面制備陰極，得到有機電致發光器件。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述第一電子注入層中所述噻吩化合物和所述鋰鹽的質量比為3:1～5:1。

8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述第二電子注入層中所述易結晶電子傳輸材料和所述低功函數金屬的質量比為2:1～15:1。

9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述第一電子注入層的厚度為20nm～40nm，所述第二電子注入層的厚度為20nm～70nm。

10.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，步驟（1）中制備所述陽極導電薄膜所采用的磁控濺射的工藝條件為：真空度為5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，加速電壓為300V～800V，磁場為50G～200G，功率密度為1W/cm²～40W/cm²；所述陽極導電薄膜的材質為銦錫氧化物、摻鋁的氧化鋅或摻銦的氧化鋅；所述陽極導電薄膜的厚度為50nm～300nm。