[發(fā)明專利]用于太陽電池的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310703700.2 | 申請日： | 2013-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN103632855A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄒小平;劉巖;周烽 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京信息科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01G9/20 | 分類號： | H01G9/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100101 北京市朝*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 太陽電池 摻雜 硫化 鎘共敏化劑 制備 方法 | ||
1.用于太陽電池的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑制備方法，其特征在于所述方法是將雜質(zhì)原子摻雜到半導(dǎo)體量子點(diǎn)中，作為敏化劑組裝成量子點(diǎn)敏化太陽能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑，其特征在于所述的半導(dǎo)體量子點(diǎn)為硫化鎘(CdS)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑，其特征在于所述的制備方法為連續(xù)離子層吸附與反應(yīng)(Successive?Ionic?Layer?Adsorption?and?Reaction，SILAR)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑，其特征在于所述的雜質(zhì)原子為銅(Cu)、鎂(Mg)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑，其特征在于所述的Cu與Mg雜質(zhì)原子分別摻入CdS量子點(diǎn)形成Cu摻雜CdS與Mg摻雜CdS共敏化的半導(dǎo)體量子點(diǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于所述的Cu摻雜CdS與Mg摻雜CdS共敏化的半導(dǎo)體量子點(diǎn)作為敏化劑組裝成量子點(diǎn)敏化太陽能電池。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅摻雜/鎂摻雜硫化鎘共敏化劑，其特征在于所述方法的具體步驟為：
1)配備濃度為0.1M-1M含有半導(dǎo)體量子點(diǎn)陽離子Cd2+的可溶性鹽溶液，放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min；
2)將含有Cu雜質(zhì)原子的可溶性鹽溶液加入步驟1)配備的陽離子溶液中，其中雜質(zhì)原子與半導(dǎo)體量子點(diǎn)摩爾濃度之比為1∶1-1∶1000；
3)將含有Mg雜質(zhì)原子的可溶性鹽溶液加入步驟1)配備的陽離子溶液中，其中雜質(zhì)原子與半導(dǎo)體量子點(diǎn)摩爾濃度之比為1∶1-1∶1000；
4)配備濃度為0.1M-1M含有半導(dǎo)體量子點(diǎn)陰離子S2-的可溶性鹽溶液，放入20-50℃的水浴中恒溫30-60min；
5)將待敏化的寬禁帶半導(dǎo)體光陽極材料浸入步驟2)制備的溶液中1-10min，取出用相應(yīng)溶劑沖洗干凈，并用氮?dú)獯蹈桑?/p>
6)將步驟5)得到的光陽極材料浸入步驟4)制備的陰離子溶液中1-10min，取出用相應(yīng)溶劑沖洗干凈，并用氮?dú)獯蹈桑?/p>
7)將步驟6)得到的光陽極材料浸入步驟3)制備的陽離子溶液中1-10min，取出用相應(yīng)溶劑沖洗干凈，并用氮?dú)獯蹈桑?/p>
8)將步驟7)得到的光陽極材料浸入步驟4)制備的陰離子溶液中1-10min，取出用相應(yīng)溶劑沖洗干凈，并用氮?dú)獯蹈桑瑒t在光陽極材料上形成Cu摻雜CdS與Mg摻雜CdS共敏化的半導(dǎo)體量子點(diǎn)敏化劑層。
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