[發明專利]一種主動矩陣有機發光顯示器的像素驅動裝置

有效

• 申請號: 201310703652.7
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103646629A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 何劍;蘇君海;柯賢軍;何基強
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及平板顯示技術領域，更具體的說是涉及一種主動矩陣有機發光顯示器的像素驅動裝置。

背景技術

OLED（有機發光二極管或有機發光二極管顯示器）根據其驅動方式分為主動矩陣有機發光顯示器（AMOLED）和被動矩陣有機發光顯示器（PMOLED）。在平板顯示技術中，AMOLED以其輕薄、主動發光、響應速度快、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優點而被業界公認為是繼LCD（液晶顯示器）之后的第三代顯示器。

目前，商業化的AMOLED的驅動晶體管采用LTPS?TFT（低溫多晶硅薄膜晶體管）背板，其應用在顯示器上時均勻性較差，其生產過程中還需要昂貴的激光晶化設備，從而造成其應用受到限制。而氧化物TFT（薄膜晶體管）具有較好的大面積均勻性，不需要激光晶化設備進行生產且能利用現有的a-SiTFT的生產線的大部分設備，從而有利于減少投資，該方面講氧化物TFT具有更好的市場競爭力。

如圖1所示，為AMOLED每個發光像素單元中驅動晶體管為氧化物TFT時的驅動電路，包括：開關晶體管T01、驅動晶體管T02、存儲電容Cs、提供掃描信號V_scan的掃描電壓源、提供數據信號V_data的數據電壓源和提供供電電壓V_dd的電源。其中，開關晶體管T01的柵極與所述掃描電壓源相連，其漏極與所述數據電壓源相連，開關晶體管T01的源極與存儲電容Cs的一端相連，并與驅動晶體管T02的柵極相連；存儲電容Cs的另一端及驅動晶體管T02的源極及OLED的陽極相連；驅動晶體管T02的漏極與提供供電電壓V_dd的電源相連；所述OLED的陰極接地。

現有技術中，在氧化物TFT?AMOLED像素驅動電路中，所述氧化物TFT必須使用為氧化物TFT特定制備的驅動IC01來驅動，而無法直接使用現有的LTPS?AMOLED?source?IC（低溫多晶硅AMOLED驅動集成芯片）進行驅動，因此，導致氧化物TFT在AMOLED領域中的應用成本較高。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種主動矩陣有機發光顯示器的像素驅動裝置，以解決現有技術中的AMOLED像素驅動裝置采用氧化物TFT時，無法使用現有的LTPS?AMOLED?source?IC進行驅動，從而導致的氧化物TFT在AMOLED領域的應用成本較高的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種AMOLED像素驅動裝置，所述AMOLED由多個呈矩陣排列的發光像素單元組成，每個發光像素單元內的AMOLED像素驅動電路至少包括：開關晶體管、驅動晶體管、存儲電容、有機發光二極管、供電電源、數據電壓源以及掃描電壓源，其中，所述驅動晶體管為氧化物薄膜晶體管，所述數據電壓源為低溫多晶硅AMOLED驅動芯片，且所述有機發光二極管的陰極接產生負電壓的芯片。

優選地，所述產生負電壓的芯片產生的負向電壓的絕對值范圍為大于0V且小于有機發光二極管的陽極到陰極的跨壓。

優選地，所述氧化物薄膜晶體管的有源層材料為In-Ga-Zn-O、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O或In-Al-Zn-O中的一種或幾種。

優選地，所述產生負電壓的芯片燒錄有所述有機發光二極管材料的衰減特性信息。

優選地，所述氧化物薄膜晶體管結構為底柵底接觸、底柵頂接觸、頂柵底接觸、頂柵頂接觸、多柵型中的一種或幾種。

優選地，所述掃描電壓源為非晶硅LCD驅動芯片或為在氧化物薄膜晶體管背板上集成的芯片。

優選地，所述AMOLED像素驅動裝置為De-Multiplexers電路。

優選地，所述De-Multiplexers電路為一分二、一分三、一分四電路中的一種。

優選地，所述掃描電壓源為在氧化物薄膜晶體管背板上集成的芯片，所述芯片上還集成有時間控制結構。