[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310703541.6
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104733621A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的玻璃基底、導電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述電子注入層包括依次層疊的噻吩摻雜層、金屬氧化物層和金屬層，所述噻吩摻雜層設置在所述電子傳輸層表面上，所述噻吩摻雜層的材質為噻吩類化合物和結晶型電子傳輸材料按質量比為0.05:1～0.2:1形成的混合材料，所述噻吩類化合物為3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述結晶型電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]；所述金屬氧化物層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；所述金屬層的材質為功函數為-2.0eV～-3.5eV的低功函數金屬。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述功函數為-2.0eV～-3.5eV的低功函數金屬為鎂、鍶、鈣或鐿。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述噻吩摻雜層的厚度為10nm～30nm，所述金屬氧化物層的厚度為5nm～20nm，所述金屬層的厚度為1nm～20nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺。

6.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材質為4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁。

7.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑或N-芳基苯并咪唑。

8.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）提供玻璃基底，清洗后干燥；在所述玻璃基底上采用磁控濺射的方法制備陽極，然后在所述陽極上采用熱阻蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層和電子傳輸層；

（2）在所述電子傳輸層上制備電子注入層，所述電子注入層包括依次層疊的噻吩摻雜層、金屬氧化物層和金屬層，所述電子注入層的制備包括：

在所述電子傳輸層上采用熱阻蒸鍍的方法制備噻吩摻雜層，所述噻吩摻雜層的材質為噻吩類化合物和結晶型電子傳輸材料按質量比為0.05:1～0.2:1形成的混合材料，所述噻吩類化合物為3-已基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩，所述結晶型電子傳輸材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、2-(4'-叔丁苯基)-5-(4'-聯苯基)-1,3,4-惡二唑、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-鄰二氮雜菲或2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-惡二唑]；所述熱阻蒸鍍時壓強為5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，所述蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s；

在所述噻吩摻雜層上采用熱阻蒸鍍的方法制備金屬氧化物層，所述金屬氧化物層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；所述熱阻蒸鍍時壓強為5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s；

在所述金屬氧化物層上采用熱阻蒸鍍的方法制備所述金屬層，所述金屬層的材質為功函數為-2.0eV～-3.5eV的低功函數金屬，所述熱阻蒸鍍時壓強為5×10^-5Pa～2×10^-3Pa，蒸鍍速率為1nm/s～10nm/s；

（3）在所述電子注入層上采用熱阻蒸鍍的方法制備陰極，得到有機電致發光器件。