[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法在審
| 申請號: | 201310703499.8 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN104733642A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光領域,特別涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度,高效率的雙層有機電致發光器件(OLED)。10V下亮度達到1000cd/m2,其發光效率為1.51lm/W,壽命大于100小時。
OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。
在傳統的有機電致發光器件中,電子傳輸速率都要比空穴傳輸速率低兩三個數量級,因此,極易造成激子復合幾率的低下,并且,使激子復合的區域不在發光區域,從而使器件發光效率降低。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法,所述有機電致發光器件,包括依次層疊的導電陽極玻璃基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述電子注入層可以提高有機電致發光器件的發光效率。
第一方面,本發明提供了一種有機電致發光器件,包括依次層疊的玻璃基底、導電陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述電子注入層的材質為噻吩類化合物、酞菁類化合物和鈍化材料按質量比為2:20:1~10:40:1形成的混合材料,所述噻吩類化合物為3-己基噻吩(3HT)、3-甲基噻吩(3AT)、3-辛基噻吩(3OT)或3-十二烷基噻吩(3DDT),所述酞菁類化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鎂(MgPc)或酞菁釩(VPc),所述鈍化材料為二氧化硅(SiO2)、一氧化硅(SiO)或氧化鋁(Al2O3)。
優選地,所述電子注入層的厚度為20nm~100nm。
優選地,所述導電陽極為銦錫氧化物(ITO)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO),厚度為50nm~300nm,更優選地,所述導電陽極為ITO,厚度為120nm。
優選地,所述空穴注入層的材質為三氧化鉬(MoO3)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),厚度為20nm~80nm。更優選地,所述空穴注入層的材質為MoO3,厚度為25nm。
優選地,所述空穴傳輸層的材質為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺(NPB),所述空穴傳輸層的厚度為20nm~60nm,更優選地,所述空穴傳輸層的材質為NPB,厚度為30nm。
優選地,所述發光層的材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5nm~40nm,更優選地,所述發光層的材質為Alq3,厚度為28nm。
優選地,所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、3-(聯苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI),厚度為40nm~250nm,更優選地,所述電子傳輸層的材質為TPBi,厚度為110nm。
優選地,所述陰極層的材質為銀(Ag)、鋁(Al)、鉑(Pt)或金(Au),所述陰極層的厚度為80nm~250nm,更優選地,所述陰極層的材質為Ag,厚度為110nm。
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