[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310703248.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104733633A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次層疊設(shè)置的陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，其特征在于，

所述有機(jī)發(fā)光功能層至少包括依次層疊設(shè)置在所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜表面的發(fā)光層和電子注入層，所述電子注入層包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光層表面的第一電子注入層和第二電子注入層；

所述第一電子注入層的材質(zhì)包括富勒烯衍生物，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的至少一種；

所述第二電子注入層的材質(zhì)包括噻吩化合物和鐵鹽，所述噻吩化合物為3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一種，所述鐵鹽為氯化鐵、溴化鐵和硫化鐵中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二電子注入層中所述噻吩化合物和所述鐵鹽的質(zhì)量比為15:1～40:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一電子注入層的厚度為10nm～50nm，所述第二電子注入層的厚度為30nm～60nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為銦錫氧化物、摻鋁的氧化鋅或摻銦的氧化鋅；所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜的厚度為50nm～300nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯和8-羥基喹啉鋁中的至少一種；所述發(fā)光層的厚度為5nm～40nm。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）提供清潔的玻璃基底，采用磁控濺射的方法在所述玻璃基底表面制備陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜；

（2）在所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜表面制備有機(jī)發(fā)光功能層，所述有機(jī)發(fā)光功能層至少包括依次層疊設(shè)置在所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜表面的發(fā)光層和電子注入層，所述電子注入層包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光層表面的第一電子注入層和第二電子注入層；采用真空蒸鍍的方法制備所述發(fā)光層；采用熱阻蒸鍍的方法制備所述第一電子注入層和所述第二電子注入層，制備所述第一電子注入層和所述第二電子注入層的真空度為5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s；

所述第一電子注入層的材質(zhì)包括富勒烯衍生物，所述富勒烯衍生物為足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的至少一種；

所述第二電子注入層的材質(zhì)包括噻吩化合物和鐵鹽，所述噻吩化合物為3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一種，所述鐵鹽為氯化鐵、溴化鐵和硫化鐵中的至少一種；

（3）采用真空蒸鍍的方法在所述有機(jī)發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述第二電子注入層中所述噻吩化合物和所述鐵鹽的質(zhì)量比為15:1～40:1。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中所述第一電子注入層的厚度為10nm～50nm，所述第二電子注入層的厚度為30nm～60nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（1）中制備所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜所采用的磁控濺射的工藝條件為：真空度為5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，加速電壓為300V～800V，磁場(chǎng)為50G～200G，功率密度為1W/cm²～40W/cm²；所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)為銦錫氧化物、摻鋁的氧化鋅或摻銦的氧化鋅；所述陽(yáng)極導(dǎo)電薄膜的厚度為50nm～300nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟（2）中制備所述發(fā)光層所采用的真空蒸鍍的工藝條件為：真空度為5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，蒸鍍速率為0.1nm/s～1nm/s；所述發(fā)光層的材質(zhì)包括4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯和8-羥基喹啉鋁中的至少一種；所述發(fā)光層的厚度為5nm～40nm。