[發明專利]MOSFET功率器件及其形成方法

在審

• 申請號: 201310703164.6
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104733524A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 朱超群;陳宇
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種MOSFET功率器件，其特征在于，包括：

襯底和形成在所述襯底上的外延層；

形成在所述外延層中的多個條形的MOSFET元胞，所述多個MOSFET元胞沿第一方向相互平行，每個所述MOSFET元胞包括源區、柵結構和第一阱區，所述第一阱區位于所述源區的下方；

形成在所述外延層中的多個第二阱區，所述多個第二阱區沿第二方向相互平行，所述第一方向與所述第二方向在與所述襯底平行的平面上相互成預設角度，所述第一阱區和所述第二阱區摻雜的類型相同，通過所述多個第二阱區連通所述多個第一阱區。

2.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向在與所述襯底平行的平面上相互成垂直。

3.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第二阱區的深度大于所述第一阱區的深度。

4.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述多個第二阱區中相鄰兩個所述第二阱區的間隔為兩個所述柵結構之間柵中心間距的5-10倍。

5.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述柵結構為溝槽型。

6.如權利要求5所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述柵結構的深度大于等于所述第一阱區的深度，并且小于等于所述第二阱區的深度。

7.如權利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述柵結構為平面型。

8.一種MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底并在所述襯底上形成外延層；

在所述外延層中形成多個第二阱區，所述多個第二阱區沿第二方向相互平行；

形成多個條形的柵結構，多個所述柵結構沿第一方向相互平行，所述第一方向與所述第二方向在與所述襯底平行的平面上相互成預設角度；

在多個所述條形的柵結構之間形成多個條形的第一阱區，所述第一阱區和所述第二阱區摻雜的類型相同，多個所述條形的第一阱區連通多個所述第二阱區；

在多個所述第一阱區上形成多個源區，以使多個所述源區與多個所述第一阱區和多個柵結構形成多個條狀的MOSFET元胞。

9.如權利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一方向與所述第二方向在與所述襯底平行的平面上相互成垂直。

10.如權利要求8所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第二阱區的深度大于所述第一阱區的深度。

11.如權利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述多個第二阱區中相鄰兩個第二阱區的間隔為兩個柵結構之間柵中心間距的5-10倍。

12.如權利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述柵結構為溝槽型。

13.如權利要求12所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述柵結構的深度大于等于所述第一阱區的深度，并且小于等于所述第二阱區的深度。

14.如權利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述柵結構為平面型。