[發明專利]RF功率放大器分路器

無效

• 申請號: 201310703141.5
• 申請日: 2013-10-30
• 公開（公告）號: CN103812522A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: S·安德森;A·莫斯托夫;E·施瓦茲
• 申請（專利權）人: DSP集團有限公司
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40;H01L23/522
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種集成電路射頻(RF)功率放大器分路器，包括：

半導體襯底，用于支撐集成電路的多個層；

多個次級繞組，被配置為二維柵格圖案，其中每個次級繞組與其他兩個次級繞組相鄰；

初級繞組，布線在所述多個次級繞組附近，所述布線適于最大化從所述初級繞組到所述次級繞組的功率耦合和阻抗變換；

其中，被施加到所述初級繞組的RF輸入信號在所述次級繞組的端子處被分路為多個差分RF輸出信號。

2.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組和所述多個次級繞組的形狀基本上是矩形。

3.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組和所述多個次級繞組的形狀基本上是六角形。

4.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組和所述多個次級繞組的形狀基本上是八角形。

5.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，所述次級繞組的數量為4。

6.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，配置每個次級繞組的電感，使得其阻抗基本上與后續子放大器級的輸入阻抗相匹配。

7.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，使用選自包括互補型金屬氧化物半導體(CMOS)、砷化鎵(GaAs)、鍺化硅(SiGe)、銦鎵磷化物(lnGaP)和氮化鎵(GaN)的組中的半導體技術制造所述分路器。

8.根據權利要求1所述的集成電路分路器，其中，所述分路器適合于傳輸符合選自包括802.11WLAN、LTE、WiMAX、HDTV、3G蜂窩、4G蜂窩和DECT的組中的無線標準的信號。

9.一種集成電路射頻(RF)功率放大器分路器，包括：

半導體襯底，用于支撐集成電路的多個層；

多個次級繞組，被配置為線性陣列圖案；

初級繞組，布線在所述多個次級繞組附近，所述布線適于最大化從所述初級繞組到所述次級繞組的功率耦合和阻抗變換；

其中，被施加到所述初級繞組的RF輸入信號在所述次級繞組的端子處被分路為多個差分RF輸出信號。

10.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組和所述多個次級繞組的形狀基本上是矩形。

11.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組和所述多個次級繞組的形狀基本上是六角形。

12.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組和所述多個次級繞組的形狀基本上是八角形。

13.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，所述次級繞組的數量是4。

14.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，配置每個次級繞組的電感，使得其阻抗基本上與后續子放大器級的輸入阻抗相匹配。

15.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，所述初級繞組以圖8的方式纏繞在所述次級繞組周邊。

16.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，除了所述線性陣列的任一端上的兩個外部次級繞組之外，所有內部次級繞組均具有延長的長度并因此具有增大的電感，從而補償了次級繞組之間的相位失配。

17.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，使用選自包括互補型金屬氧化物半導體(CMOS)、砷化鎵(GaAs)、鍺化硅(SiGe)、銦鎵磷化物(lnGaP)和氮化鎵(GaN)的組中的半導體技術制造所述分路器。

18.根據權利要求9所述的集成電路分路器，其中，所述分路器適合于傳輸符合選自包括802.11WLAN、LTE、WiMAX、HDTV、3G蜂窩、4G蜂窩和DECT的組中的無線標準的信號。