[發明專利]一種用于ESD保護的低觸發電壓抗閂鎖SCR

有效

• 申請號: 201310703058.8
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN103633086A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 喬明;齊釗;馬金榮;薛騰飛;樊航;盛玉榮;蔣苓利
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種用于ESD保護的低觸發電壓抗閂鎖SCR，包括P型襯底（1），所述P型襯底（1）中設置有第一N阱注入區（2）和P阱注入區（4），所述第一N阱注入區（2）中設置有相互獨立的第一N+型注入區（11）和第一P+型注入區（21），所述第一N阱注入區（2）的上端面設置有陽極金屬電極（51），所述陽極金屬電極（51）與第一N+型注入區（11）和第一P+型注入區（21）連接，所述第一N阱注入區（2）和P阱注入區（4）之間設置有第二N+型注入區（12），所述第二N+型注入區（12）與P阱注入區（4）連接，所述第二N+型注入區（12）的上端面設置有控制端金屬電極（52），所述第二N+型注入區（12）與第一P+型注入區（21）之間的設置有第一厚場氧區（31），所述P阱注入區（4）中設置有相互獨立的第三N+型注入區（13）和第二P+型注入區（22），所述P阱注入區（4）的上端面設置有陰極金屬電極（53），所述陰極金屬電極（53）與第三N+型注入區（13）和第二P+型注入區（22）連接，所述第二N+型注入區（12）與第三N+型注入區（13）之間的P阱注入區（4）的上端面設置有第一薄氧化區（32），所述第一薄氧化區（32）的上端面設置有多晶硅電極（41），其特征在于，還包括第二N阱注入區（3），所述第二N阱注入區（3）設置在第二N+型注入區（12）的下端面，并分別與第二N+型注入區（12）和P阱注入區（4）連接。

2.根據權利要求1所述的一種用于ESD保護的低觸發電壓抗閂鎖SCR，其特征在于，所述第一N阱注入區（2）中還設置有第四N+型注入區（10），所述第四N+型注入區（10）分別與第一P+型注入區（21）和第一厚場氧區（31）連接。