[發明專利]一種升壓型電荷泵電路

有效

• 申請號: 201310702976.9
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103647449A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 朱鐵柱;王良坤;張明星;夏存寶;陳路鵬;黃武康
• 申請（專利權）人: 嘉興中潤微電子有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02P8/00
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 丁惠敏

1.一種電荷泵電路，至少包括輸出端（Vout）、一對NMOS開關管（M1、M2）、一對二極管（D1、D2）、泵電容（Cpump）和充電電容（Cout），所述NMOS開關管（M1、M2）與所述二極管（D1、D2）構成H橋結構，所述泵電容（Cpump）跨接于所述NMOS開關管（M1）的源極與所述二極管（D1）的負極之間，所述充電電容（Cout）跨接于所述二極管（D2）的負極與地之間，其特征在于，

所述電荷泵電路還包括振蕩器、脈沖調制器、第一驅動器、第二驅動器以及反饋控制單元；

所述振蕩器用于產生脈沖信號；所述脈沖信號為占空比為50%的方波信號；

所述第一驅動器的輸出與所述NMOS開關管（M1）的柵極連接，所述第一驅動器用于控制所述NMOS開關管（M1）的導通與關閉，所述第二驅動器的輸出與所述NMOS開關管（M2）的柵極連接，所述第二驅動器用于控制所述NMOS開關管（M2）的導通與關閉；

所述反饋控制單元的輸入連接到所述輸出端（Vout），用于比較輸出電壓（VCP）與設定參考電壓，產生控制信號；

所述脈沖調制器包括輸入端（CLK、VCP_DET）和輸出端（UP_CTRL、DN_CTRL），所述輸入端（CLK）與所述振蕩器的輸出連接，所述輸入端（VCP_DET）與所述反饋控制單元的輸出端連接，所述輸出端（UP_CTRL）與所述第一驅動器的輸入端連接，所述輸出端（DN_CTRL）與所述第二驅動器的輸入端連接，用于將所述反饋控制單元產生的控制信號調制到所述振蕩器產生的脈沖信號，控制所述第一驅動器和所述第二驅動器。

2.如權利要求1所述的電荷泵電路，其特征在于，所述反饋控制單元包括MOS管電流鏡像電路，所述輸出端（Vout）的電壓（VCP）通過齊納管（ZN）輸入所述MOS管電流鏡像電路，在所述齊納管（ZN）上形成電壓降（Vzn）；電源電壓（VBB）通過電阻（R）輸入所述MOS管電流鏡像電路，并在所述電阻（R）上形成電壓降（Vr）；

當所述輸出端（Vout）的電壓（VCP）與電源電壓（VBB）的電壓差值，大于所述齊納管（ZN）上的電壓降（Vzn）與所述電阻（R）上的電壓降（Vr）的電壓差值時，所述MOS管電流鏡像電路中右支路的PMOS管飽和電流大于NMOS管飽和電流，所述NMOS管工作于飽和區，所述PMOS管工作于線性區，所述NMOS管漏極電壓接近為數字邏輯電平（VDD），則反相器輸出信號為0；

當所述輸出端（Vout）的電壓（VCP）與電源電壓（VBB）的電壓差值，小于所述齊納管（ZN）上的電壓降（Vzn）與所述電阻（R）上的電壓降（Vr）的電壓差值時，所述MOS管電流鏡像電路中的右支路中上管PMOS管飽和電流小于下管NMOS管飽和電流，所述NMOS管工作于線性區，所述PMOS管工作于飽和區，因此反相器輸出信號為1。