[發明專利]基于超級電容的多點隨機失效模擬法

有效

• 申請號: 201310702969.9
• 申請日: 2013-12-10
• 公開（公告）號: CN103675551A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 沙建龍
• 申請（專利權）人: 蘇州市博得立電源科技有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于超級電容的多點隨機失效模擬法，其特征在于，構建一個由超級電容、超級電容控制器、電源管理系統、可編程充電電源以及中央控制器通過電路連接所構成的模擬多點隨機失效的電路；所述電路中每個超級電容與超級電容控制器連接構成一組超級電容模擬電池組；所述整個電路中設有N組超級電容模擬電池組；所述每組超級電容模擬電池組中的超級電容端連接電池管理系統，并由可編程充電電源負責向其提供充電；所述每組超級電容模擬電池組中的超級電容控制器端連接可編程充電電源和中央控制器；所述超級電容控制器通過隨機函數序列調節充電電流，將某超級電容先充滿電，然后中央控制器會根據電池管理系統傳來的數據，判斷電池管理系統做出的響應是否正確。

2.根據權利要求1的基于超級電容的多點隨機失效模擬法，其特征在于，所述超級電容控制器產生隨機函數，該隨機函數范圍為0.1～5.0之間，每次由該超級電容控制器隨機取一個小數a1，放在序列中，再取下一個小數x1，與序列中的數a1作比對，如果相同，則再取下一個作比對，直到b1！=a1，將b1放入序列，由此方法取出10個隨機函數放入序列形成隨機函數序列。

3.根據權利要求2的基于超級電容的多點隨機失效模擬法，其特征在于，所述隨機函數序列由超級電容控制器用來控制對應連接的超級電容的充放電倍率，繼而達到產生多點隨機失效的效果。

4.根據權利要求3的基于超級電容的多點隨機失效模擬法，其特征在于，所述充放電倍率為1.0C～5.0C的不同值。以達到在整體電容組中某些電容個體處于過充狀態，即滿電荷狀態，再也不能容納多余電量；某些電容個體處于過放狀態，即空電荷狀態。

5.根據權利要求1或2或3的基于超級電容的多點隨機失效模擬法，其特征在于，所述采用的超級電容規格為標稱電壓為4.2V，容量范圍為1000F，內阻值<0.3mOhm的超級電容。

6.根據權利要求1或2或3的基于超級電容的多點隨機失效模擬法，其特征在于，所述超級電容模擬電池組的組數N，1≤N＜200。