[發明專利]無電荷泵結構的低功耗功率管驅動電路

有效

• 申請號: 201310702884.0
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103647438A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 張明星;王良坤;朱鐵柱;夏存寶;陳路鵬;黃武康
• 申請（專利權）人: 嘉興中潤微電子有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220
• 代理人: 丁惠敏

1.一種無電荷泵結構的功率管驅動電路，所述功率管為N型DMOS管，其特征在于，包括多個N型MOS管（MN0、MN1）、P型MOS管（MP0、MP1、MP2、MP3）、電阻（R1、R2、R3）以及二極管（D0、D1），其中

所述P型MOS管（MP0）的源極通過所述電阻（R1）連接到電源(VBB),所述P型MOS管（MP1）的源極通過所述電阻（R2）連接到所述電源(VBB),所述P型MOS管（MP2）的源極通過所述電阻（R3）連接到所述電源(VBB)；

所述N型MOS管（MN0）與所述P型MOS管（MP3）組成傳輸門，所述N型MOS管（MN0）的漏極與所述P型MOS管（MP3）的源極連接，所述N型MOS管（MN0）的源極與所述P型MOS管（MP3）的漏極連接；

所述N型MOS管（MN0）的柵極與所述P型MOS管（MP0）的漏極連接，所述P型MOS管（MP3）的柵極與所述P型MOS管（MP2）的漏極連接；所述N型MOS管（MN0）的柵極與所述P型MOS管（MP1）的漏極連接；

所述二極管（D0）跨接于所述N型MOS管（MN0）的柵極和源極之間，所述二極管（D0）的負極與所述N型MOS管（MN0）的柵極連接；所述二極管（D1）跨接于所述P型MOS管（MP3），所述二極管（D1）的正極與所述P型MOS管（MP3）的柵極連接；

所述二極管（D0）與所述二極管（D1）為穩壓二極管；

所述N型MOS管（MN1）的漏極與所述P型MOS管（MP0）的漏極連接；所述N型MOS管（MN1）的源極與地電位（GND）連接；

所述功率管驅動電路還包括數字控制信號（CTL）、數字控制信號（CTL_P）以及數字控制信號（CTL_N），其中所述數字控制信號（CTL_P）與所述數字控制信號（CTL）同相，所述數字控制信號（CTL_N）與所述數字控制信號（CTL）信號反相；

所述功率管驅動電路還包括將所述數字控制信號（CTL）通過電平轉換電路得到數字控制信號（CTL_HP）和數字控制信號（CTL_HN）信號，其中所述數字控制信號（CTL_HP）與所述數字控制信號（CTL）同相，所述數字控制信號（CTL_HN）與所述數字控制信號（CTL）信號反相，所述數字控制信號（CTL_HN）與所述數字控制信號（CTL_HP）在VBB-5V到VBB之間變化；

所述數字控制信號（CTL_P）為所述N型MOS管（MN1）的輸入信號；所述數字控制信號（CTL_HP）為所述P型MOS管（MP0）的輸入信號,所述數字控制信號（CTL_HN）為所述P型MOS管（MP1）的輸入信號；

所述P型MOS管（MP3）的源極與所述功率管的柵極連接，所述P型MOS管（MP3）的漏極與所述功率管的源極連接。

2.如權利要求1所述的無電荷泵結構的功率管驅動電路，其特征在于，所述功率管驅動電路還包括P型MOS管（MP4）、N型MOS管（MN2）、N型MOS管（MN3）、N型MOS管（MN6）和二極管（D2），其中

所述P型MOS管（MP4）的源極與所述P型MOS管（MP3）的柵極連接，所述P型MOS管（MP4）的漏極與所述N型MOS管（MN2）的漏極連接，所述P型MOS管（MP4）的柵極與所述N型MOS管（MN3）的漏極連接，所述二極管（D2）跨接于所述P型MOS管（MP4）的源極和柵極之間，所述二極管（D2）的正極與所述P型MOS管（MP4）的柵極連接；

所述N型MOS管（MN2）的源極與所述地電位（GND）連接；

所述N型MOS管（MN3）的源極與所述P型MOS管（MP6）的漏極連接；

所述N型MOS管（MN6）的源極與地電位GND連接；

所述數字控制信號（CTL_N）為所述N型MOS管（MN2）的柵極和所述N型MOS管（MN3）的柵極的輸入信號。

3.如權利要求2所述的無電荷泵結構的功率管驅動電路，其特征在于，所述功率管驅動電路還包括N型MOS管（MN4）和N型MOS管（MN5），其中

所述N型MOS管（MN5）跨接于所述N型MOS管（MN1）與所述地電位（GND）之間，所述N型MOS管（MN5）的漏極與所述N型MOS管（MN1）的源極連接，所述N型MOS管（MN5）的源極與所述地電位（GND）連接，所述N型MOS管（MN5）的柵極與所述N型MOS管（MN4）的柵極連接，所述N型MOS管（MN5）的柵極與所述N型MOS管（MN6）的柵極連接；

所述N型MOS管（MN4）的柵極與漏極連接，所述N型MOS管（MN4）的源極與所述地電位（GND）連接；

所述偏置電壓（BIAS）為所述N型MOS管（MN4）的柵極的輸入信號。