[發(fā)明專利]一種CdSe量子點敏化多晶硅太陽能電池材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310701960.6 | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN103903867A | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 關成善;宗繼月;孟博;孫啟壯 | 申請(專利權)人: | 山東精工電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01G9/20 | 分類號: | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 277800 山東省棗莊*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cdse 量子 點敏化 多晶 太陽能電池 材料 制備 方法 | ||
1.一種CdSe量子點敏化多晶硅太陽能電池材料的制備方法,其特征在于:(1)由CdSe量子點和多晶硅材料組成,在多晶硅材料的制備過程中摻入CdSe量子點,其質(zhì)量比為100:1;(2)摻雜的CdSe量子點尺寸為3~5nm;(3)高純硅的制備方法中,以硅烷為硅源,利用氣相沉積法提純硅;(4)利用通N2的噴射管將熔融的硅與CdSe量子點一同噴射到二氧化硅襯底上,其流速為1.5L/min;(5)退火階段,降溫速度為400℃/h。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種CdSe量子點敏化多晶硅太陽能電池材料的制備方法,其特征在于:包括以下步驟,第一步:以硅烷為原料,通過熱分解爐,在1500℃條件下利用氣相沉積法制備純度較高的層狀多晶硅;第二步:水相中制備CdSe量子點,采用分步法制備CdSe量子點:a:稱取?2.2835g?乙酸鉻,用無氧水配成?50mL?溶液并置于80攝氏度的水浴中;分別稱取?0.0158g?Se?粉和?0.0263g?NaBH4?依次倒入除過氧的燒瓶中,密封,加水?4mL,反應完全后的澄清透明溶液即為?NaHSe?溶液,取?8.75mL?CdCl2?溶液倒入?50mL?三口圓底燒瓶中,用針筒量取?9.25mL已除過氧的二次蒸餾水,再加入?10.2ul?巰基丙酸,并用?2.0mol/L?的?NaOH?調(diào)節(jié)溶液的?pH?值至11后迅速注入?2mL?新制得?NaHSe?溶液,反應?4h;將制備的母液以與丙酮1∶6?的比例混合、離心分離,得到的沉淀物即為?CdSe?量子點,該條件下制備的量子點尺寸為3~5nm;第三步:將第一步制得的10g多晶硅薄膜置于1500℃高溫下煅燒、融解,稱取0.1gCdSe量子點粉末置于其中,混合均勻后以N2為氣源,控制流速為1.5L/min,用噴射管將二者混合物吹至已生長了一層二氧化硅的襯底上,形成一層多晶硅薄膜,制得的多晶硅薄膜經(jīng)過400℃/h的退火處理,即可得CdSe量子點敏化多晶硅太陽能電池材料。
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