[發明專利]資料緩沖系統及電源控制方法

有效

• 申請號: 201310700881.3
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN104348476B
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 金起弘
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185;G05F1/56
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司11279
• 代理人: 王正茂,查芷琦

技術領域

本發明涉及一種集成電路，特別涉及一種資料緩沖系統。

背景技術

資料緩沖系統廣泛地應用于各種電子電路中，例如存儲器裝置。舉例而言，在存儲器裝置中的資料傳輸系統可用來根據寫入指令或讀取指令而傳輸多個資料信號。然而，電壓變異與噪聲的問題可能會嚴重地影響資料緩沖系統的性能。在某些情況下，還可能會造成存儲器裝置的操作失效。

請參照圖1A與圖1B，圖1A為現有技術的一種資料緩沖系統100的示意圖，圖1B為圖1A所示的資料緩沖系統100的波形示意圖。如圖1A所示，資料緩沖系統包含多個資料緩沖器120。資料緩沖器120包含多個電性串接的反相器122。每一反相器122直接由供應電壓VCC所驅動。若供應電壓VCC發生電壓變異時，如圖1B所示，當供應電壓VCC變大時(亦即高VCC)，資料信號VDATAIN01與資料信號VDATAOUT01之間的時間差會較小，且資料緩沖系統100的功率消耗會增加。同樣地，當供應電壓VCC變小時(亦即低VCC)，資料信號VDATAIN01與資料信號VDATAOUT01之間的時間差會變長，且資料緩沖系統100的功率消耗會降低。倘若在高VCC的情況下的資料信號VDATAOUT01與在低VCC的情況下的資料信號VDATAOUT01之間的時間相差過大，則存儲器裝置的讀寫操作可能會失效。

請參照圖1C與圖1D，圖1C為另一現有技術的一種資料緩沖系統100a的示意圖，圖1D為圖1C所示的資料緩沖系統100a的波形示意圖。資料緩沖系統100a包含放大器140、P型金氧半場效應晶體管(P-type Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor,PMOS)160與多個資料緩沖器120。資料緩沖器120還包含多個電性串接的反相器124。放大器140與PMOS160用來產生調節電壓VINT以驅動所有的反相器124。資料緩沖系統100a可降低供應電壓VCC的變異的影響，但調節電壓VINT仍會受到資料傳輸時在反相器124中所產生的噪聲的影響。舉例來說，如圖1D所示，資料信號VDATAIN01經由資料緩沖器120所傳輸，且資料信號VDATAIN02、VDATAIN03并未進行傳輸。在此情況下(亦即單一資料信號傳送的情況)，資料信號VDATAOUT01可正常產生。而如圖1E所示，資料信號VDATAIN01、VDATAIN02與VDATAIN03各自經由對應的資料緩沖器120進行傳輸(亦即全部資料信號傳送的情況)，在此情況下調節電壓VINT會受到資料緩沖器120所產生的噪聲影響而變動，進而造成資料信號VDATAOUT01的時序產生變動。

由此可見，上述現有的方式，顯然仍存在不便與缺陷，而有待加以進一步改進。

發明內容

為了解決上述的問題，本發明提供了一種資料緩沖系統。資料緩沖系統包含多個資料緩沖模塊與多個切換單元。每一資料緩沖模塊包含多個電性串接的緩沖器。多個切換單元用來根據調節電壓向多個緩沖器提供電源，其中每一切換單元電性耦接于多個緩沖器中一個對應的緩沖器與供應電壓之間。

根據本發明的一實施例，其中前述的每一緩沖器包含偶數個電性串接的反相器。每一反相器包含P型晶體管與N型晶體管。P型晶體管電性串接于N型晶體管，且每一切換單元電性耦接于多個緩沖器中一個對應的緩沖器的多個P型晶體管與供應電壓之間。

根據本發明的一實施例，其中前述的每一切換單元包含N型晶體管。N型晶體管的第一端電性耦接供應電壓，N型晶體管的第二端電性耦接于一個對應的緩沖器中的多個P型晶體管，N型晶體管的控制端電性耦接至調節電壓。

根據本發明的一實施例，其中資料緩沖系統還包含電壓調節模塊。電壓調節模塊用來產生調節電壓。

根據本發明的一實施例，其中前述的電壓調節模塊包含放大器。放大器用來根據參考電壓與反饋電壓產生調節電壓。

根據本發明的一實施例，其中前述的電壓調節模塊還包含感測開關、第一感測電阻與第二感測電阻。感測開關的第一端用來產生調節電壓，感測開關的第二端電性耦接至放大器的輸出端，感測開關的控制端電性耦接于感測開關的第二端。第一感測電阻的第一端電性耦接于感測開關的第二端，第一感測電阻的第二端用來產生反饋電壓。第二感測電阻電性耦接于第一感測電阻的第二端與接地端之間。