[發(fā)明專利]一種超寬帶信號頻段合成電路及合成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310700861.6
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103647512B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發(fā)明（設計）人: 劉金現(xiàn);馬子騰;柏栓
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十一研究所
• 主分類號: H03D7/16
• 分類號: H03D7/16
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 龔燮英

1.一種超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，在平板狀絕緣介質基片上設置有微帶線形式的低頻信號輸入端、高頻信號輸入端和信號頻段合成輸出端；所述平板狀絕緣介質基片上還設置有集成于微帶線中的薄膜電容；所述微帶線還設置連接第一PIN二極管及第二PIN二極管；所述薄膜電容下電極直接連通低頻信號輸入端和信號頻段合成輸出端；第一PIN二極管及第二PIN二極管通過所述薄膜電容上電極實現(xiàn)串聯(lián)連接；所述第二PIN二極管接地端與信號頻段合成輸出端微帶線中心距離為高頻信號輸入信號中心頻率的四分之一導波波長。

2.如權利要求1所述的超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，所述平板狀絕緣介質基片為純度99.6%以上的氧化鋁基片或純度98%的氮化鋁基片或藍寶石基片；所述平板狀絕緣介質基片的厚度為0.1mm～1mm或0.254±0.1mm。

3.如權利要求1所述的超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，所述微帶線和所述薄膜電容通過薄膜光刻工藝實現(xiàn)。

4.如權利要求1所述的超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，所述薄膜電容的介質材料為聚酰亞胺或氮化硅。

5.如權利要求1所述的超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，所述第一PIN二極管及第二PIN二極管的截止頻率為10倍-15倍最高工作頻率。

6.如權利要求5所述的超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，所述第一PIN二極管及第二PIN二極管的自身串聯(lián)電阻值為0-5歐姆。

7.如權利要求1所述的超寬帶信號頻段合成電路，其特征在于，所述高頻信號輸入端的輸入信號為0.1-1倍一個頻程。

8.如權利要求1所述的超寬帶信號頻段合成電路的合成方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1：設置平板狀絕緣介質基片上還設置有集成于微帶線中的薄膜電容；所述薄膜電容上電極還設置連接第一PIN二極管及第二PIN二極管；

步驟2：設置輸入信號1的頻率范圍為DC-F1、輸入信號2的頻率范圍為F1-F2，將輸入信號1及輸入信號2合成為一路信號輸出，輸出信號的頻率范圍為DC-F2；

步驟3：當波段控制信號S為低電平時，第一PIN二極管及第二PIN二極管截止，輸入信號1經(jīng)薄膜電容的下電極直接輸出，從而使得低頻段信號最低頻率從DC開始；當波段控制信號S為高電平時，第一PIN二極管及第二PIN二極管導通，輸入信號2經(jīng)第一PIN二極管輸出。

9.如權利要求8所述的合成方法，其特征在于，所述第一PIN二極管及第二PIN二極管通過所述薄膜電容上電極實現(xiàn)串聯(lián)連接；所述第二PIN3二極管接地端與信號頻段合成輸出端微帶線中心距離為高頻信號輸入信號中心頻率的四分之一導波波長。

10.如權利要求8所述的合成方法，其特征在于，所述薄膜電容采用金屬-介質-金屬結構，所述薄膜電容的下電極采用標準微帶線，所述薄膜電容的上電極寬度為標準微帶線五分之四，所述薄膜電容的介質采用聚酰亞胺或氮化硅。