[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310700716.8
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103903974B
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發(fā)明（設計）人: 松崎榮;川合章仁;荒井一尚
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/3065
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,蔡麗娜

技術領域

本發(fā)明涉及這樣的晶片的加工方法：將在正面在通過呈格子狀地形成的間隔道劃分出的多個區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個個器件，并且將芯片結合用的粘接膜（DAF）等樹脂膜裝配到各器件的背面。

背景技術

例如，在半導體器件制造工序中，在大致圓板形形狀的半導體晶片的正面，在通過呈格子狀地形成的分割預定線（間隔道）劃分出的多個區(qū)域形成IC（集成電路）、LSI（大規(guī)模集成電路）等器件，沿著間隔道對形成有該器件的各區(qū)域進行分割，由此，制造出一個個半導體器件。作為分割半導體晶片的分割裝置一般使用切削裝置，該切削裝置通過厚度為20μm左右的切削刀具沿著間隔道來切削半導體晶片。像這樣分割出的半導體器件在封裝之后被廣泛利用到便攜電話和個人電腦等電氣設備中。

關于被分割成單個的半導體器件，在其背面裝配有由聚酰亞胺系樹脂、環(huán)氧系樹脂、丙烯酸系樹脂等形成的厚度為10～30μm的、稱為芯片粘接膜（DAF，Die Attach Film）的芯片結合用的粘接膜，通過加熱而結合到隔著該粘接膜支撐半導體器件的芯片結合框架。另外，存在這樣的情況：為了抑制存在于由硅基板構成的半導體晶片內的微量金屬雜質的移動，將稱為芯片背側膜（DSF，Die Back Side Film）的樹脂膜裝配到半導體晶片的背面。作為將稱為芯片粘接膜（DAF）或芯片背側膜（DSF）的樹脂膜裝配到半導體器件的背面的方法，在將樹脂膜粘貼到半導體晶片的背面，將半導體晶片經該樹脂膜粘貼到切割帶之后，沿著形成于半導體晶片的正面的間隔道利用切削刀具來將半導體晶片與粘接膜一起切斷，由此，形成了在背面裝配有樹脂膜的半導體器件。

然而，根據(jù)上述的裝配樹脂膜的方法，存在這樣的問題：在通過切削刀具對半導體晶片和樹脂膜一起進行切斷而分割成一個個半導體器件時，在半導體器件的背面產生缺口、或在樹脂膜產生須狀的毛邊，從而成為引線接合時斷線的原因。

近年來，便攜電話和個人電腦等電氣設備要求更輕量化、小型化，從而需要更薄的半導體器件。作為更薄地分割半導體器件的技術，所謂稱為先切割法的分割技術被實用化了。該先切割法是這樣的技術：從半導體晶片的正面沿著間隔道形成規(guī)定的深度（相當于半導體器件的完成品厚度的深度）的分割槽，然后，在將保護帶粘貼到半導體晶片的正面之后對半導體晶片的背面進行磨削，由此，在半導體晶片的背面露出分割槽從而將半導體晶片分割成一個個半導體器件，可以將半導體器件的厚度加工到50μm以下。

然而，在通過先切割法將半導體晶片分割成一個個半導體器件的情況下，在從半導體晶片的正面沿著間隔道形成了規(guī)定的深度的分割槽之后，將保護帶粘貼到半導體晶片的正面并對背面進行磨削，使分割槽在該背面露出，因此，不能將芯片粘接膜（DAF）或芯片背側膜（DSF）等樹脂膜提前裝配到半導體晶片的背面。因此，存在這樣的問題：在通過先切割法結合到支撐半導體器件的芯片結合框架時，不得不將結合劑插入到半導體器件與芯片結合框架之間，不能順暢地實施結合作業(yè)。

為了解決這樣的問題，提出了這樣的半導體器件的制造方法：將芯片粘接膜（DAF）或芯片背側膜（DSF）等樹脂膜裝配到通過先切割法而被分割成一個個半導體器件的晶片的背面，將半導體器件隔著該樹脂膜粘貼到切割帶上，之后，從半導體器件的正面?zhèn)却┻^各半導體器件之間的間隙向在上述間隙露出的該樹脂膜的部分照射激光光線，從而熔斷樹脂膜的在上述間隙露出的部分（例如，參照專利文獻1）。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻1：日本特開2002-118081號公報

然而，存在這樣的問題：通過照射激光光線而被熔斷的芯片粘接膜（DAF）或芯片背側膜（DSF）等樹脂膜從器件的外周伸出，由于從該器件的外周伸出的伸出部分對形成于器件正面的結合區(qū)（bonding pad）造成污染等，而使器件的品質降低。

發(fā)明內容

本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的發(fā)明，其主要的技術課題在于提供一種晶片的加工方法，能夠不使器件的品質降低地將芯片粘接膜（DAF）或芯片背側膜（DSF）等樹脂膜裝配到各個器件的背面。

為了解決上述主要的技術課題，根據(jù)本發(fā)明提供了一種晶片的加工方法，用于將在正面在通過呈格子狀地形成的多個間隔道劃分出的多個區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個個器件，并且將樹脂膜裝配到各器件的背面，

上述晶片的加工方法的特征在于，包括：

保護部件粘貼工序，將保護部件粘貼到晶片的正面；

背面磨削工序，對實施了上述保護部件粘貼工序的晶片的背面進行磨削而形成為規(guī)定的厚度；