[發明專利]提高多層布線通孔光刻工藝容寬的方法有效
| 申請號： | 201310700465.3 | 申請日： | 2013-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN103681479A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 張世權 | 申請（專利權）人： | 無錫中微晶園電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;G03F7/20 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人： | 曹祖良;劉海 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 多層 布線 光刻 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高多層布線通孔光刻工藝容寬的方法，其特征是，包括以下工藝步驟：
（1）根據圓片上高、低臺階的圖形制作第一通孔版（R1）和第二通孔版（R2），第一通孔版（R1）用于對高臺階部位進行光刻通孔，第二通孔版（R2）用于對低臺階部位進行光刻通孔；
（2）在需要進行通孔光刻的圓片表面涂上光刻膠（F）；
（3）采用第一通孔版（R1）對高臺階部位進行曝光，高臺階部位的光刻孔均處于同一高度、與焦距位置f1一致，曝光后尺寸一致性較好；
（4）采用第二通孔版（R2）對低臺部位進行曝光，低臺階部位的光刻孔均處于同一高度、與焦距位置f2一致，曝光后一致性較好；
（5）顯影后分別在圓片的高臺階部位和低臺階部位形成光刻孔圖形，經過腐蝕形成所需的光刻孔。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
