[發明專利]電阻式存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201310699111.1
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104733608A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 蔡耀庭
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種電阻式存儲器，其特征在于，所述電阻式存儲器包括：

一基底；

一堆疊，包括：

一第一絕緣層，設于該基底上；

一第一電極，設于該第一絕緣層上；及

一第二絕緣層，設于該第一電極上；

一電阻轉態層，順應性覆蓋于該堆疊與該基底上；

多個第二電極對，上述第二電極對各具有兩個第二電極，分別順應性覆蓋于該電阻轉態層的相反側壁及相反邊的該基底上；

一第一接觸插塞，設于該多個第二電極對之間且電連接該第一電極；以及

多個第二接觸插塞，分別電連接上述各第二電極。

2.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于，該第一電極及該第二電極的材質各自獨立地包括TaN、TiN、TiAlN、TiW、Ag、Cu、AlCu、Pt、W、Ru、Al、Ni或上述的組合。

3.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于，該電阻轉態層的材質包括Al、Hf、Cr、Cu、Ti、Co、Zn、Mo、Nb、Fe、Ni、W、Pb、Ta、La、Zr的氧化物、PrCaMnO₃、SrTiO₃、SrZrO₃、或上述的組合。

4.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于，該第一電極、該第二電極及該電阻轉態層的厚度分別為1nm至50nm。

5.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于，該第一接觸插塞及該第二接觸插塞各自獨立地包括Cu、Al或W。

6.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于，該第一接觸插塞貫穿該第一電極并接觸該第一絕緣層的上表面。

7.根據權利要求1所述的電阻式存儲器，其特征在于，該第一接觸插塞貫穿該第一絕緣層并接觸該基底的上表面。

8.一種電阻式存儲器的制造方法，其特征在于，所述電阻式存儲器的制造方法包括：

提供一基底；

形成一堆疊于該基底上，該堆疊包括：

一第一絕緣層，設于該基底上；

一第一電極，設于該第一絕緣層上；及

一第二絕緣層，設于該第一電極上；

形成一電阻轉態層，該電阻轉態層順應性覆蓋于該堆疊與該基底上；

形成多個第二電極對，上述第二電極對各具有兩個第二電極，分別順應性覆蓋于該電阻轉態層的相反側壁及相反邊的該基底上；

形成一第一接觸插塞于該多個第二電極對之間，該第一接觸插塞電連接該第一電極；以及

形成多個第二接觸插塞，上述第二接觸插塞分別電連接上述各第二電極。

9.根據權利要求8所述的電阻式存儲器的制造方法，其特征在于，該第一電極及該第二電極的材質各自獨立地包括TaN、TiN、TiAlN、TiW、Ag、Cu、AlCu、Pt、W、Ru、Al、Ni或上述的組合。

10.根據權利要求8所述的電阻式存儲器的制造方法，其特征在于，該電阻轉態層的材質包括Al、Hf、Cr、Cu、Ti、Co、Zn、Mo、Nb、Fe、Ni、W、Pb、Ta、La、Zr的氧化物、PrCaMnO₃、SrTiO₃、SrZrO₃、或上述的組合。

11.根據權利要求8所述的電阻式存儲器的制造方法，其特征在于，該第一電極、該第二電極及該電阻轉態層的厚度分別為1nm至50nm。

12.根據權利要求8所述的電阻式存儲器的制造方法，其特征在于，該第一接觸插塞及該第二接觸插塞各自獨立地包括Cu、Al或W。