[發(fā)明專利]半導體結構及其形成方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310698759.7
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104733314A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 謝欣云
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底具有第一區(qū)域，所述第一區(qū)域的襯底表面具有第一鰭部；

在所述襯底表面和第一鰭部的側壁表面形成介質層，所述介質層的表面低于所述第一鰭部頂部；

對暴露出介質層的部分第一鰭部底部進行第一防損傷注入工藝，所述第一防損傷注入工藝能夠防止對第一鰭部的離子注入損傷，在第一鰭部內形成第一防穿通層，所述第一防穿通層的位置與所述介質層表面相對應。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一防損傷注入工藝的溫度為300攝氏度～400攝氏度。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第一區(qū)域用于形成PMOS晶體管時，所述第一防損傷注入工藝注入的離子包括N型離子，所述N型離子包括磷離子，所述N型離子的摻雜濃度為1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

4.如權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第一區(qū)域用于形成PMOS晶體管時，所注入的離子還包括氟離子。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第一區(qū)域用于形成NMOS晶體管時，所述第一防損傷注入工藝注入的離子包括P型離子，所述P型離子包括硼離子，所述P型離子的摻雜濃度為1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

6.如權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第一區(qū)域用于形成NMOS晶體管時，所注入的離子還包括碳離子。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：所述襯底具有第二區(qū)域，所述第二區(qū)域的襯底表面具有第二鰭部，所述第二鰭部和第一鰭部所形成的晶體管類型相反；所述介質層還位于所述第二鰭部的側壁表面，所述介質層的表面低于第二鰭部表面；在形成第一防穿通層之后，對暴露出介質層的部分第二鰭部底部進行第二防損傷注入工藝，所述第二防損傷注入工藝能夠防止對第二鰭部的離子注入損傷，在第二鰭部內形成第二防穿通層，所述第二防穿通層的位置與所述介質層表面相對應。

8.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二防損傷注入工藝的溫度為300攝氏度～400攝氏度。

9.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第二區(qū)域用于形成PMOS晶體管時，所述第二防損傷注入工藝注入的離子包括N型離子，所述N型離子包括磷離子，所述N型離子的摻雜濃度為1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第二區(qū)域用于形成PMOS晶體管時，所注入的離子還包括氟離子。

11.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第二區(qū)域用于形成NMOS晶體管時，所述第二防損傷注入工藝注入的離子包括P型離子，所述P型離子包括硼離子，所述P型離子的摻雜濃度為1E12atom/cm³～5E15atom/cm³。

12.如權利要求11所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當第二區(qū)域用于形成NMOS晶體管時，所注入的離子還包括碳離子。

13.如權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一防損傷注入工藝和所述第二防損傷注入工藝之后，采用退火工藝激活第一防穿通層和第二防穿通層。

14.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第一防損傷注入工藝之后，采用退火工藝激活第一防穿通層。

15.如權利要求13或14所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述退火工藝為快速熱退火，退火溫度為500℃～1000℃。

16.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述介質層的形成工藝包括：在襯底和第一鰭部表面形成介質膜；拋光所述介質膜并暴露出第一鰭部的頂部表面，形成介質層；回刻蝕所述介質層，使所述介質層的表面低于第一鰭部頂部。