[發明專利]烷氧基甲硅烷基胺化合物及其應用

有效

• 申請號: 201310698533.7
• 申請日: 2013-12-11
• 公開（公告）號: CN103864837B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 蕭滿超;R·M·皮爾斯泰恩;R·霍;D·P·斯彭斯;雷新建
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C07F7/18
• 分類號: C07F7/18;C07F7/10
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 吳亦華

1.包含至少一種具有Si-N鍵、Si-O鍵和Si-H鍵的化合物的前體，選自：

((MeO)₂HSi)₂NMe、((EtO)₂HSi)₂NMe、((MeO)MeHSi)₂NMe、((EtO)MeHSi)₂NMe、((MeO)₂HSi)₂NEt、((EtO)₂HSi)₂NEt、((MeO)MeHSi)₂NEt、((EtO)MeHSi)₂NEt、((MeO)₂HSi)₂NPrⁿ、((EtO)₂HSi)₂NPrⁿ、((MeO)MeHSi)₂NPrⁿ、((EtO)MeHSi)₂NPrⁿ、((MeO)₂HSi)₂NPrⁱ、((EtO)₂HSi)₂NPrⁱ、((MeO)MeHSi)₂NPrⁱ、((EtO)MeHSi)₂NPrⁱ、((MeO)₂HSi)₂NBu^t、((EtO)₂HSi)₂NBu^t、((MeO)MeHSi)₂NBu^t、((EtO)MeHSi)₂NBu^t、((MeO)₂HSi)₃N、((EtO)₂HSi)₃N、((MeO)MeHSi)₃N、((EtO)MeHSi)₃N、((MeO)₂HSi)₂NSiH₂(OBu^t)、((EtO)₂HSi)₂NSiH₂(OBu^t)、((MeO)₂HSi)₂NSiH(OEt)₂和((^tBuO)H₂Si)₃N。

2.沉積含硅膜的沉積方法，所述方法包括以下步驟：

a.將權利要求1所述的前體引入至反應器；和b.沉積含硅膜。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述沉積方法選自循環CVD、金屬有機CVD、熱化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積、高密度PECVD、光子輔助CVD、等離子體光子輔助CVD、低溫化學氣相沉積、化學輔助氣相沉積、熱絲化學氣相沉積、液體聚合物前體CVD、從超臨界流體的沉積、低能量CVD和可流動化學氣相沉積。

4.如權利要求2所述的方法，其中所述沉積方法是可流動化學氣相沉積。

5.如權利要求2-4中任一項所述的方法，其中所述沉積方法還包括至少另一種烷氧基硅烷。

6.如權利要求2-4中任一項所述的方法，其中所述含硅膜包含硅和氧，并且是在使用氧源、含氧的試劑或前體在氧的存在下沉積的；和/或所述含硅膜包含硅和氮，并且是在含氮源的存在下沉積的；和/或其中將質子源提供至所述反應器中以至少部分地與所述至少一種烷氧基甲硅烷基胺前體反應。

7.儲存、運輸和遞送至少一種烷氧基甲硅烷基胺的系統，所述系統包括：

容器，其中所述容器的至少一部分內表面包含選自玻璃、塑料、金屬、及其組合的內襯；以及如權利要求1所述的前體。