[發(fā)明專利]半導體元件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310698367.0
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104733516A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發(fā)明（設計）人: 洪志臨;陳信良;陳永初
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/73
• 分類號: H01L29/73;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/331
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種半導體元件，包括：

具有一第一導電型的一襯底；

具有該第一導電型的一第一阱區(qū)，位于該襯底中；

具有一第二導電型的一分隔區(qū)，位于該襯底中，其中該第一阱區(qū)位于該分隔區(qū)中；

具有該第一導電型的一第一摻雜區(qū)，位于該第一阱區(qū)中，且在該第一摻雜區(qū)施加一第一電壓；

具有該第二導電型的一第二摻雜區(qū)，位于該第一摻雜區(qū)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)中，且在該第二摻雜區(qū)施加一第二電壓；

具有該第二導電型的一第三摻雜區(qū)，位于該第一摻雜區(qū)的一第二側(cè)的該分隔區(qū)中，且在該第三摻雜區(qū)施加一第三電壓；以及

至少一場板，位于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間的該襯底上，或位于該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該襯底上，或位于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間以及該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該襯底上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該分隔區(qū)包括：

具有該第二導電型的一第二阱區(qū)，位于該第一阱區(qū)周圍；以及

具有該第二導電型的一埋入層，位于該第一阱區(qū)以及該第二阱區(qū)下方的該襯底中，其中該埋入層的摻雜濃度與該第二阱區(qū)的摻雜濃度不同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該分隔區(qū)包括具有該第二導電型的一深阱區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中當該第一導電型為P型且該第二導電型為N型時，該第三電壓大于該第一電壓且該第一電壓大于該第二電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中當該第一導電型為N型且該第二導電型為P型時，該第二電壓大于該第一電壓且該第一電壓大于該第三電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，更包括至少一隔離結(jié)構(gòu)，位于該至少一場板下方，且該至少一場板覆蓋部分該至少一隔離結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體元件，其中該至少一場板材料包括多晶硅、金屬或其組合。

8.一種半導體元件，包括：

具有一第一導電型的一襯底；

具有該第一導電型的一第一阱區(qū)，位于該襯底中；

具有一第二導電型的一分隔區(qū)，位于該襯底中，其中該第一阱區(qū)位于該分隔區(qū)中；

具有該第一導電型的一第一摻雜區(qū)，位于該第一阱區(qū)中；

具有該第二導電型的一淡摻雜區(qū)，位于該第一摻雜區(qū)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)中；

具有該第二導電型的一第二摻雜區(qū)，位于該淡摻雜區(qū)中；

具有該第二導電型的一第三摻雜區(qū)，位于該第一摻雜區(qū)的一第二側(cè)的該分隔區(qū)中；以及

至少一場板，位于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間并與該淡摻雜區(qū)接觸的該襯底上，或位于該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該襯底上，或位于該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該襯底上以及該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間的該襯底上并與該淡摻雜區(qū)接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體元件，其中該分隔區(qū)包括：

具有該第二導電型的一第二阱區(qū)，位于該第一阱區(qū)周圍；以及

具有該第二導電型的一埋入層，位于該第一阱區(qū)、該第二阱區(qū)下方以及該襯底中，其中該埋入層的摻雜濃度與該第二阱區(qū)的摻雜濃度不同。

10.一種半導體元件的制造方法，包括：

提供具有一第一導電型的一襯底；

于該襯底中形成具有該第一導電型的一第一阱區(qū)；

于該襯底中形成具有一第二導電型的一分隔區(qū)，其中該第一阱區(qū)位于該分隔區(qū)中；

于該第一阱區(qū)中形成具有該第一導電型的一第一摻雜區(qū)；

于該第一摻雜區(qū)的一第一側(cè)的該第一阱區(qū)中形成具有該第二導電型的一淡摻雜區(qū)；

于該淡摻雜區(qū)中形成具有該第二導電型的一第二摻雜區(qū)；

于該第一摻雜區(qū)的一第二側(cè)的該分隔區(qū)中形成具有該第二導電型的一第三摻雜區(qū)；以及

形成至少一場板于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間并與該淡摻雜區(qū)接觸的該襯底上，或于該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該襯底上，或于該第一摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)之間的該襯底上以及于該第一摻雜區(qū)與該第二摻雜區(qū)之間的該襯底上并與該淡摻雜區(qū)接觸。