[發明專利]一種采用多層結構的雙頻微帶天線

有效

• 申請號: 201310698174.5
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103682646A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 鐘催林;吳家國;丁曉鴻;孫元鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市振華微電子有限公司
• 主分類號: H01Q9/04
• 分類號: H01Q9/04;H01Q13/08;H01Q21/30
• 代理公司: 深圳市弘拓知識產權代理事務所(普通合伙) 44320
• 代理人: 李新梅

1.一種采用多層結構的雙頻微帶天線，其特征在于，包括上層微帶天線（1）、下層微帶天線（2）、饋電金屬微帶線（5）和饋電端口（8）；

所述上層微帶天線（1）包括上層微帶天線基板（3）和金屬輻射片（7），所述下層微帶天線（2）包括下層微帶天線基板（10）以及位于所述下層微帶天線基板（10）正面的公共金屬接地面（11）；

所述公共金屬接地面（11）上開設有第一矩形縫隙（4）和第二矩形縫隙（6）；所述第一矩形縫隙（4）作為所述下層微帶天線（2）的輻射單元，所述第二矩形縫隙（6）作為所述上層微帶天線（1）的輻射單元；

所述上層微帶天線基板（3）層疊在所述公共金屬接地面（11）上，所述上層微帶天線基板（3）的正面設置有所述金屬輻射片（7）；所述饋電金屬微帶線（5）位于所述下層微帶天線基板（10）的反面；所述饋電端口（8）用于與同軸接頭焊接。

2.如權利要求1所述的雙頻微帶天線，其特征在于，所述饋電金屬微帶線（5）為T字形結構。

3.如權利要求1所述的雙頻微帶天線，其特征在于，所述第一矩形縫隙（4）的尺寸比所述第二矩形縫隙（6）的尺寸大；所述第二矩形縫隙（6）位于上層微帶天線基板（3）下的正中央位置，所述第一矩形縫隙（4）離上層微帶天線基板（3）一定距離。

4.如權利要求1-3任一項所述的雙頻微帶天線，其特征在于，所述第一矩形縫隙（4）的尺寸為工作頻率的半波長。

5.如權利要求1-3任一項所述的雙頻微帶天線，其特征在于，所述上層微帶天線（1）通過第二矩形縫隙（6）和所述饋電金屬微帶線（5）進行縫隙耦合饋電。

6.如權利要求1所述的雙頻微帶天線，其特征在于，所述金屬輻射片（7）為正方形且在正方形的一對角位置上倒角，所述金屬輻射片（7）的尺寸為工作頻率處的半波長。