[發明專利]晶粒可控LaB6納米晶的固相反應制備方法無效
| 申請號: | 201310698131.7 | 申請日: | 2013-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN103848431A | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 包黎紅;特古斯;偉偉 | 申請(專利權)人: | 內蒙古師范大學 |
| 主分類號: | C01B35/04 | 分類號: | C01B35/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 呼和浩特北方科力專利代理有限公司 15100 | 代理人: | 王社 |
| 地址: | 010022 內蒙*** | 國省代碼: | 內蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶粒 可控 lab sub 納米 相反 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及制備稀土硼化物納米粉末的方法,特別指一種晶粒可控LaB6納米晶的固相反應制備方法。
技術背景
自1951年,美國的J.M.Lafferty發現LaB6具有優異的電子發射特性后,開啟了稀土硼化物研究熱潮。研究的熱點主要集中在LaB6二元稀土硼化物陰極。最近研究發現,LaB6納米晶不僅具有優良的發射性能而且還具有其它獨特的性能如:吸收紅外光,包覆后的LaB6@C-SiO2納米晶具有殺菌等作用。因為晶粒度越小,會對其帶隙有直接影響,從而進一步影響其性能。LaB6納米晶現已然成為研究熱點。目前LaB6納米晶的制備主要都在高壓釜中進行的。該方法制備出的納米晶晶粒度為200nm左右,很難達到100納米以下,而且粉末制備量少。以價格低廉的La2O3作為稀土源,以B4C或B2O3為硼源,以Mg為還原劑在高溫下才能合成出單相的LaB6,但晶粒度均在微米級。因此,晶粒可控的LaB6納米晶的制備已成為難題,這將直接影響到其應用和進一步研究。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種晶粒可控LaB6納米晶的固相反應制備方法,這種方法可解決現有的LaB6晶粒度大,出粉量少,晶粒度難控制等問題,并通過固相反應制備一種晶粒度從20nm至400nm可控的LaB6納米晶。本方法能通過反應溫度及時間來控制晶粒度的大小,且能降低制備成本,有利于大規模工業生產和應用。
為解決上述技術問題,本發明所提供的晶粒可控LaB6納米晶的固相反應制備方法,包括以下幾個步驟:
(1)將純度為99.9%的La2O3與純度為99.99%的NaBH4粉末按1∶11-13的化學配比放入瑪瑙研缽中,研磨半個小時直至混和均勻;
(2)將混合均勻后的粉末裝入石英管中,真空抽至1-4Pa后將粉末放入退火爐中進行固相反應,退火爐升溫速率為2-5℃/每分鐘,固相反應溫度分別為1000℃、1100℃、1150℃和1200℃,固相反應時間為2~6小時;
(3)將固相反應后的粉末以純度為36%的鹽酸和蒸餾水的體積比為1∶1-2的混合溶液進行2-3次清洗,再進行離心;
本制備方法的化學原料為La2O3和NaBH4,并且化學配比為1∶11-13。
本發明的優點:與現有的以La2O3為原料的制備方法相比較,本方法制備出的晶粒可控LaB6納米晶的最小晶粒度達到20納米,具有表面活性高,熔點低,容易吸收紅外光等特點。作為多功能陶瓷粉末有很廣的應用前景。
附圖說明
圖1、不同反應溫度下的LaB6未清洗樣品XRD圖譜
圖2、不同反應溫度下的LaB6清洗樣品XRD圖譜
圖3、反應溫度為1000℃樣品SEM照片
圖4、反應溫度為1200℃樣品SEM照片
以下結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步說明,但是本發明的保護范圍不限于下述實施例。
具體實施方式
實施例
(1)將1克純度為99.9%的La2O3與1.39克純度為99.99%的NaBH4粉末按1∶12的化學配比放入瑪瑙研缽中,研磨半個小時直至混和均勻。
(2)將混合均勻后的粉末裝入石英管中,真空抽至2Pa后將粉末放入退火爐中進行固相反應。退火爐升溫速率為3℃/每分鐘。固相反應溫度分別為1000℃,1100℃,1150℃和1200℃,固相反應時間為2小時。
(3)將固相反應后的粉末以鹽酸(純度為36%)和蒸餾水比例為1∶1的混合溶液進行2次清洗,在進行離心。
從圖1可看出,原料粉末在反應溫度為1000℃保溫2小時后初步形成了LaB6的主相及LaBO3的第二相。但反應溫度繼續升高至1100℃,1150℃和1200℃時,均形成了LaB6的主相及圖LaBO3的第二相。圖2為清洗后的LaB6粉末XRD圖譜。從圖中可看出,經過清洗后所有第二相全部消失,得到單相的LaB6粉末。圖3為清洗后的反應溫度為1000℃下的粉末電鏡照片,從圖中可看出粉末平均粒徑達到了20納米,充分說明了該方法制備出了LaB6納米晶。圖4清洗后的反應溫度為1200℃下的粉末電鏡照片,從圖中可看出粉末平均粒徑達到了400納米,充分說明了該方法通過調節溫度完全可達到對晶粒度的可控制備。
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