[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 201310698030.X
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103972298A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 李福永
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：

基板；

光屏蔽層和緩沖層，所述光屏蔽層和所述緩沖層順序地形成在所述基板上；

半導體層，所述半導體層形成在所述緩沖層上，所述半導體層由與所述光屏蔽層相同的材料形成；

柵絕緣膜和柵極，所述柵絕緣膜和所述柵極順序地形成在所述半導體層上；

層間絕緣膜，所述層間絕緣膜形成在所述基板上以使得所述層間絕緣膜覆蓋所述柵極，所述層間絕緣膜包括分別露出所述半導體層的源區域和漏區域的源接觸孔和漏接觸孔；以及

源極和漏極，所述源極和所述漏極通過所述源接觸孔和所述漏接觸孔電連接到所述半導體層。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述光屏蔽層的邊緣與所述半導體層的邊緣一致。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述光屏蔽層形成在所述基板的整個表面上。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述光屏蔽層和所述半導體層由透明導電氧化物形成。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述光屏蔽層的厚度等于所述半導體層的厚度。

6.一種制造薄膜晶體管的方法，該方法包括以下步驟：

在基板上順序地形成光屏蔽層和緩沖層；

在所述緩沖層上使用與所述光屏蔽層相同的材料形成半導體層；

在所述半導體層上順序地形成柵絕緣膜和柵極；

在所述基板上形成層間絕緣膜以使得所述層間絕緣膜覆蓋所述柵極，所述層間絕緣膜包括分別露出所述半導體層的源區域和漏區域的源接觸孔和漏接觸孔；以及

形成源極和漏極，所述源極和所述漏極通過所述源接觸孔和所述漏接觸孔電連接到所述半導體層。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽層的邊緣與所述半導體層的邊緣一致。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽層形成在所述基板的整個表面上。

9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽層和所述半導體層由透明導電氧化物形成。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述光屏蔽層的厚度等于所述半導體層的厚度。