[發(fā)明專利]薄膜沉積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310697963.7
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103866240B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁皓植;卞柱舜
• 申請（專利權(quán)）人: 圓益IPS股份有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26;C23C14/04
• 代理公司: 北京青松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

1.一種薄膜沉積裝置，包括：工序腔室；一個以上的蒸發(fā)源，使沉積物質(zhì)蒸發(fā)，使搬運至所述工序腔室的基板上沉積薄膜；一個以上的開關(guān)板，屏蔽所述蒸發(fā)源蒸發(fā)的沉積物質(zhì)，其特征在于，

所述開關(guān)板，包括：基座部，沉積蒸發(fā)的沉積物質(zhì)；至少一個熱屏蔽部件，層疊在所述基座部上部，屏蔽在所述蒸發(fā)源蒸發(fā)沉積物質(zhì)時發(fā)生的熱輻射。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述基座部與所述熱屏蔽部件之間，配置使所述基座部與所述熱屏蔽部件相互隔離的間隔維持部件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述熱屏蔽部件在所述基座部的上部層疊多個時，在所述熱屏蔽部件之間，配置使所述熱屏蔽部件分別相互隔離的間隔維持部件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

分別在所述基座部與所述熱屏蔽部件之間及所述熱屏蔽部件之間配置多個間隔維持部件，并且相鄰接的所述間隔維持部件之間以相互不同的方向配置。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述間隔維持部件的至少一面焊接在所述基座部或所述熱屏蔽部件。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

在所述基座部配置凸肋；所述凸肋為防止所述熱屏蔽部件由于所述蒸發(fā)源發(fā)生的熱輻射的熱變形。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

分別焊接所述熱屏蔽部件的側(cè)面以固定所述熱屏蔽部件的位置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述基座部與所述至少一個的熱屏蔽部件，由貫通所述基座部與所述至少一個的熱屏蔽部件的固定部件固定。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述開關(guān)板，還包括在最上層的所述熱屏蔽部件上部層疊的覆蓋部。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述基座部與所述覆蓋部，各個的側(cè)面由側(cè)面覆蓋部部件焊接或固定。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述基座部為，Ti、Ta及鉻鎳鐵合金中任意一種的材質(zhì)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述熱屏蔽部件為，不銹鋼、Ti、鉭、AlN、熱解氮化硼及鎢中任意一種材質(zhì)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述基座部及所述熱屏蔽部件中，至少對其中一個鏡面處理而使其底面反射熱。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13任一所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，還包括冷卻部，

在執(zhí)行在基板沉積沉積物質(zhì)的沉積工序時，冷卻所述開關(guān)板。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述冷卻部通過引導(dǎo)所述開關(guān)板移動的引導(dǎo)部件冷卻所述開關(guān)板，或所述開關(guān)板位于不屏蔽沉積物質(zhì)的開放位置時，通過接觸及輻射中任意一種熱傳導(dǎo)使所述開關(guān)板冷卻。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜沉積裝置，其特征在于，

所述工序腔室，

設(shè)置空間區(qū)劃部，區(qū)劃處理空間為定位基板的處理領(lǐng)域和設(shè)置有所述蒸發(fā)源的蒸發(fā)領(lǐng)域，連通所述處理領(lǐng)域及所述蒸發(fā)領(lǐng)域形成的開口部，

所述開口部，由一個以上的所述開關(guān)板進行開關(guān)。