[發明專利]晶圓級芯片封裝方法

在審

• 申請號: 201310697678.5
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN104733328A
• 公開（公告）日: 2015-06-24
• 發明（設計）人: 何作鵬;趙洪波;向陽輝;吳秉寰;陳怡駿
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶圓級芯片封裝方法，其特征在于，包括：

提供晶圓和基底，所述晶圓具有第一表面和第二表面，所述晶圓的第一表面具有導電結構；

將所述晶圓的第一表面與所述基底粘結；

沿所述晶圓的第二表面，在所述晶圓內形成溝槽；

對所述晶圓和基底進行烘烤，所述烘烤的溫度為第一溫度；

烘烤之后，在所述晶圓第二表面以及溝槽內形成低溫氧化物層，形成所述低溫氧化物層的溫度為第二溫度，所述第二溫度小于第一溫度。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，還包括：在烘烤之后、形成低溫氧化物層之前，清洗所述晶圓的第二表面和溝槽側壁和底部。

3.根據權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述清洗采用臭氧水、稀釋的氫氟酸或者丙酮進行。

4.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述晶圓的第一表面與所述基底粘結采用環氧樹脂(Epoxy)、聚酰亞胺（PI）、苯環丁烯或者聚苯惡唑進行。

5.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述第一溫度小于或者等于200℃。

6.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述低溫氧化物層的厚度為

7.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述低溫氧化物層采用等離子體增強化學氣相沉積法形成。

8.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述低溫氧化物層的形成工藝包括：調整反應腔體的氣壓為3～4torr，溫度為170～200℃，向反應腔體內通入TEOS和O₂或是TEOS和O₃，所述TEOS的流量為1000～1500sccm，O₂或O₃的流量為2500～3200sccm。

9.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述低溫氧化物層為二氧化硅。

10.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，還包括：

去除所述溝槽底部的低溫氧化物層，露出所述晶圓第一表面的導電結構；

在所述低溫氧化物層上、所述溝槽的側壁和底部形成金屬互連線層；

在所述金屬互連線層上形成焊盤，所述金屬互連線層與所述焊盤電連接；

在所述金屬互連線層層和所述焊盤上形成鈍化層;

在所述鈍化層內形成開口，所述開口暴露出所述焊盤；

在所述開口中的焊盤上形成焊球。