[發(fā)明專利]提高背面注入雜質(zhì)激活率的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310696715.0 | 申請日： | 2013-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN103700586A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘建華;張繼;李俊;陶軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫中微晶園電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/324 | 分類號： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務(wù)所 32104 | 代理人： | 曹祖良;劉海 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提高 背面 注入 雜質(zhì) 激活 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種提高背面注入雜質(zhì)激活率的方法，其特征是，包括以下步驟：
（1）將芯片放入常規(guī)快速熱處理設(shè)備中，通氮氣排除快速熱處理設(shè)備中的空氣，氮氣流量為50±10?L/min，穩(wěn)定3～5分鐘；
（2）升溫至700～1100℃，升溫的同時降低氮氣流量為5±1?L/min，在700～1100℃保持30～60秒；
（3）加熱完畢后，將芯片取出在60秒內(nèi)恢復(fù)至常溫。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
