[發明專利]一種ZnO基薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201310696318.3
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN103710675A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 呂建國;江慶軍;袁禹亮;葉志鎮
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種ZnO基薄膜，其特征是ZnO基薄膜中鑲嵌有ZnO基納米片，ZnO基薄膜及ZnO基納米片的化學式均為Zn_1-xM_xO?，M?=?Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦x＜0.20，納米片直徑在1?~?5?um。

2.制備權利要求1所述的ZnO基薄膜的方法，其步驟如下：

1）將純ZnO粉末和純M氧化物粉末按化學式Zn_1-xM_xO計量比混合、研磨、1000～1500?℃燒結，制成ZnO基陶瓷靶材，其中M?=?Al、Ga、In、B、Cd或Mg，0≦x＜0.20；

2）采用磁控濺射方法，以步驟1）的陶瓷靶作為靶材，在經清洗的襯底上沉積一層ZnO基薄膜，沉積條件為：襯底和靶材的距離為80?mm，生長室真空度在2×10^-3?Pa以上，生長室通入純Ar，或者Ar和O₂，Ar和O₂的流量比為100：0~100：8，控制壓強為0.1?~?10?Pa，調節濺射功率為100?~?200?W，襯底溫度為25?~?400?℃，濺射時間為20?~?90?min；

3）將步驟2）所得的薄膜在濃度為1.0?~?5.0?wt%?NH₄Cl溶液中腐蝕10?~?30?min。

3.按權利要求2所述的ZnO基薄膜的制備方法，其特征在于所述的襯底為單晶硅片、藍寶石、石英、玻璃、聚碳酸酯或苯二甲酸乙二酯。

4.按權利要求2所述的ZnO基薄膜的制備方法，其特征在于所述的純ZnO粉末和純M氧化物粉末的純度均在99.99%以上。