[發明專利]半導體制冷器及半導體制冷裝置

有效

• 申請號: 201310695972.2
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103697618A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 高俊嶺;羅嘉恒;關慶樂;孔小鳳
• 申請（專利權）人: 廣東富信科技股份有限公司
• 主分類號: F25B21/02
• 分類號: F25B21/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種半導體制冷器，包括：第一基板、第二基板，以及設置在所述第一基板和第二基板之間的至少兩個半導體電偶；其特征在于，還包括：設置在所述第一基板和第二基板之間的側墻，所述側墻圍繞在所述至少兩個半導體電偶外圍；所述側墻包括固定連接在所述第一基板和第二基板之間的膠粘層，以及位于所述第一基板和第二基板之間的、且固定連接于所述膠粘層內側的增強層，所述增強層的導熱系數低于所述膠粘層。?

2.根據權利要求1所述的半導體制冷器，其特征在于，所述增強層為壓設在所述第一基板和第二基板之間的彈性層。?

3.根據權利要求2所述的半導體制冷器，其特征在于，所述增強層的寬度大于所述膠粘層。?

4.根據權利要求3所述的半導體制冷器，其特征在于，所述增強層的寬度是所述膠粘層的寬度的5～10倍。?

5.根據權利要求1-4任一所述的半導體制冷器，其特征在于，所述增強層為乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA層，所述膠粘層為密封膠層。?

6.根據權利要求1-4任一所述的半導體制冷器，其特征在于，所述第一基板與第二基板為相對設置的、尺寸相同的矩形板，所述側墻呈矩形框；所述側墻內側為矩形框狀的增強層、外側為矩形框狀的膠粘層。?

7.根據權利要求6所述的半導體制冷器，其特征在于，所述增強層為由四個增強段圍成的矩形框。?

8.根據權利要求7所述的半導體制冷器，其特征在于，所述膠粘層外側與所述第一基板和第二基板的外緣平齊。?

9.根據權利要求1-4任一所述的半導體制冷器，其特征在于，所述第一基板或所述第二基板上還連接有一對電極引線，所述電極引線依次穿過所述增強層和膠粘層、延伸至所述側墻外側。?

10.一種半導體制冷裝置，包括：內部形成有容置空腔的箱體，其特征在于，還包括：固定設置在所述箱體上的、如權利要求1-9任一所述的半導體制冷器。?