[發(fā)明專利]薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭及其測試的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310695323.2 | 申請日: | 2013-12-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103792179A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 史亮;全小平;李存惠;王鹢 | 申請(專利權(quán))人: | 蘭州空間技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N17/00 | 分類號(hào): | G01N17/00;G01B7/16 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
| 地址: | 730013 甘*** | 國省代碼: | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜 材料 暴露 試驗(yàn) 形變 在線 測試 探頭 及其 方法 | ||
1.一種薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,包括支架,所述支架上設(shè)有薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)的至少一個(gè)試驗(yàn)樣品,所述試驗(yàn)樣品一端的上方設(shè)有第一蓋板,另一端的上方設(shè)有第二蓋板,下方設(shè)有第三蓋板,所述第二蓋板上設(shè)有發(fā)光二極管,所述發(fā)光二極管上設(shè)有第四蓋板,所述第三蓋板上設(shè)有通孔,所述通孔下方對應(yīng)設(shè)有光電傳感器,所述光電傳感器設(shè)置在支架的端部,所述第一蓋板與所述支架的一端固定連接,所述支架的另一端固定連接所述第二蓋板和所述第四蓋板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,還包括第五蓋板,所述第五蓋板設(shè)置在所述試驗(yàn)樣品上方,并位于第一蓋板和第二蓋板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述第五蓋板為長條形蓋板,所述試驗(yàn)樣品的兩側(cè)上方分別設(shè)有一個(gè)所述第五蓋板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述第五蓋板一端位于所述第一蓋板下方,所述第一蓋板上設(shè)有容納所述第五蓋板端部的第三凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述支架的端部設(shè)有第一凹槽,所述光電傳感器設(shè)置在第一凹槽內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述支架的一端及所述第一蓋板上設(shè)有與所述試驗(yàn)樣品端部相配合的限位槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述支架上設(shè)有至少一個(gè)第二凹槽,所述第二凹槽內(nèi)設(shè)有試驗(yàn)樣品。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述試驗(yàn)樣品為ITO/Kapton/Al復(fù)合薄膜或滲碳聚酰亞胺薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭,其特征在于,所述至少一個(gè)試驗(yàn)樣品包括第一試驗(yàn)樣品和第二試驗(yàn)樣品;所述支架一端設(shè)有兩個(gè)第一凹槽,一個(gè)所述第一凹槽內(nèi)設(shè)有第一光電傳感器,另一個(gè)所述第一凹槽內(nèi)設(shè)有第二光電傳感器,所述支架上設(shè)有第一試驗(yàn)樣品和第二試驗(yàn)樣品,所述第一試驗(yàn)樣品、第二試驗(yàn)樣品的一端均位于所述第一蓋板和支架之間,所述第三蓋板上設(shè)有第一通孔和第二通孔,所述第一通孔上方對應(yīng)設(shè)有第一試驗(yàn)樣品,所述第一通孔下方設(shè)有所述第一光電傳感器,所述第二通孔上方對應(yīng)設(shè)有第二試驗(yàn)樣品,所述第二通孔下方設(shè)有所述第二光電傳感器,所述第二蓋板上設(shè)有第一發(fā)光二極管和第二發(fā)光二極管,所述第一發(fā)光二極管下方對應(yīng)設(shè)有第一試驗(yàn)樣品,所述第二發(fā)光二極管下方對應(yīng)設(shè)有第二試驗(yàn)樣品。
10.使用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的薄膜材料在軌暴露試驗(yàn)形變在線測試探頭進(jìn)行測試的方法,包括以下步驟:
進(jìn)行標(biāo)定:測試探頭在正式上星前進(jìn)行高低溫循環(huán)試驗(yàn),記錄其在不同溫度條件下的電流數(shù)據(jù)及線性長度變化數(shù)據(jù);
在軌測試:測試探頭搭載于航天器外部,記錄在軌運(yùn)行期間每個(gè)試驗(yàn)樣品對應(yīng)的光電傳感器產(chǎn)生的電流,將在軌運(yùn)行期間的電流數(shù)據(jù)與對應(yīng)的試驗(yàn)樣品前期在地面開展的電流數(shù)據(jù)進(jìn)行對比,找出在軌運(yùn)行期間檢測的電流數(shù)據(jù)對應(yīng)的地面標(biāo)定的線性長度變化,得到薄膜材料的試驗(yàn)樣品在軌隨溫度的線性長度變化情況。
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