[發明專利]聚酰亞胺納米纖維復合膜及其制備方法和應用在審
| 申請號: | 201310695225.9 | 申請日: | 2013-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103747609A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 張秀芳;李申初;方渡飛;張宇輝;李虎敏;趙炯心;沈曦 | 申請(專利權)人: | 上海潔晟環保科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K3/00;B32B27/08;B32B37/00;D01D1/02;D04H1/728 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 宋鷹武;沈祖鋒 |
| 地址: | 201315 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰亞胺 納米 纖維 復合 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種聚酰亞胺納米纖維復合膜,其特征在于,由上聚酰亞胺膜層,下聚酰亞胺膜層與中間聚酰胺酸納米纖維膜層構成的三明治結構。
2.根據權利要求1所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜,其特征在于,所述聚酰亞胺納米纖維復合膜的介電常數小于2,所述上聚酰亞胺膜層和所述下聚酰亞胺膜層的厚度在5-100μm之間,所述中間聚酰胺酸納米纖維膜層的厚度在10-100μm,孔隙率在70-80%之間。
3.一種權利要求1所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,包括下述步驟:
制備所述聚酰亞胺膜;
以所述聚酰亞胺膜為基底,采用靜電紡絲技術制備所述聚酰胺酸納米纖維膜;
選取所述聚酰胺酸納米纖維膜復合以形成聚酰亞胺納米纖維復合膜,所述聚酰亞胺納米纖維復合膜由上聚酰亞胺膜層,下聚酰亞胺膜層與中間聚酰胺酸納米纖維膜層構成的三明治結構。
4.根據權利要求3所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,制備所述聚酰亞胺膜,包括下述步驟:
提供一聚酰胺酸溶液;
將所述聚酰胺酸溶液于室溫真空環境中脫泡得到含有聚酰亞胺的制膜液和含有聚酰胺酸的靜電紡絲液,其中,所述制膜液中聚酰亞胺的濃度為10-30wt%,靜電紡絲液中聚酰胺酸的濃度為10-15wt%;
提供一基體,其中,所述基體為經過PEO處理的玻璃板或鏡面不銹鋼板;
將所述制膜液涂覆在所述基體上,并形成液膜,其中,所述液膜的厚度為50-500μm;
將上述帶有液膜的基體熱處理后在所述基體上形成聚酰亞胺膜,其中,所述聚酰亞胺膜的厚度為5-25μm;
從所述基體上分離得到所述聚酰亞胺膜。
5.根據權利要求3所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,所述靜電紡絲的工藝條件為:紡絲液溫度為10-30℃,環境溫度為5-45℃,相對濕度為20-60%,紡絲電壓為5000-30000V,噴絲頭到接收板的距離為8-20cm,料筒擠出量為25-80μL/min,靜電紡聚酰胺酸納米纖維膜的厚度為5-50μm。
6.根據權利要求3所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,選取所述聚酰胺酸納米纖維膜復合以形成聚酰亞胺納米纖維復合膜,具體為:選取兩塊以聚酰亞胺膜為基底的聚酰胺酸納米纖維膜,將兩塊所述聚酰胺酸納米纖維膜按聚酰胺酸納米纖維膜相對應的方式熱壓復合形成所述聚酰亞胺納米纖維復合膜,其中,熱壓溫度為200-300℃。
7.根據權利要求3所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,在完成選取所述聚酰胺酸納米纖維膜復合以形成聚酰亞胺納米纖維復合膜的步驟后還包括將所述聚酰亞胺納米纖維復合膜進行熱處理得到亞胺化后的聚酰亞胺納米纖維復合膜。
8.根據權利要求4所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,其中,提供一聚酰胺酸溶液,包括下述步驟:
將二酐單體和二胺單體按摩爾比1:1混合;
在上述混合溶液中加入極性有機溶劑;
將添加有極性有機溶劑的混合溶液,進行攪拌反應得到所述聚酰胺酸溶液。
9.根據權利要求8所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,所述二酐單體為均苯四酸二酐或3,3,4,4-聯苯四甲酸二酐,所述二胺單體為對苯二胺或4,4-二氨基二苯醚。
10.根據權利要求9所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜的制備方法,其特征在于,所述極性有機溶劑為N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜中的任意一種。
11.一種根據權利要求1或3所述的聚酰亞胺納米纖維復合膜在柔性印刷電路板中的應用。
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