[發明專利]一種矩陣式瞬態抑制二極管的制造方法

無效

• 申請號: 201310695097.8
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN103617953A
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發明（設計）人: 于波;王云峰;董彬;陳芳
• 申請（專利權）人: 天津中環半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.?一種矩陣式瞬態抑制二極管的制造方法，其特征在于，采用平面制造工藝，將多個瞬態抑制二極管集成于一個芯片內，形成陣列排布的共陽極瞬態抑制二極管模組，首先根據反向抑制電壓和矩陣式瞬態抑制二極管單原包面積，利用光刻方法制作光刻板轉移圖形，再將圖形轉移到經過一次氧化的P型硅基片表面上，在P型硅基片上表面的圖形內同時進行每個元胞區的制備過程；所述的P型硅基片的電阻率為0.0060-0.0065ohm.cm，在P型硅基片中注入磷離子1.6*10¹⁶，在形成PN結的熱推進過程中，設定熱推進溫度為1150℃，熱推進時間為150min。