[發(fā)明專利]深孔電鍍的預(yù)處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310694379.6 | 申請日： | 2013-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN103726085A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李明;凌惠琴;孫琪;曹海勇;李義 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號： | C25D5/00 | 分類號： | C25D5/00;C25D7/12;C25D7/04 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人： | 牛山;陳少凌 |
| 地址： | 200240 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電鍍 預(yù)處理 方法 | ||
1.一種深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟（1）選擇待鍍的具有一個或多個深孔的半導(dǎo)體芯片，選擇純水，并冷卻；
步驟（2）將所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行抽真空處理；
步驟（3）將所述半導(dǎo)體芯片在真空下浸泡在所述純水中；
步驟（4）將所述半導(dǎo)體芯片使用鍍液浸泡、小電流刺激；
步驟（5）將所述半導(dǎo)體芯片使用上述鍍液進(jìn)行電鍍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體芯片的材質(zhì)包括Si、Ge、Se、As、Ga；或者所述金屬硫化物；或者所述金屬氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體芯片是通過電解除油或超聲清洗進(jìn)行清潔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片的抽真空的時間為1～15min；所述的半導(dǎo)體芯片的抽真空后真空度為610.5Pa～3170Pa。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的純水的溫度為0℃～25℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體芯片在所述純水中的浸泡時間為10s～10min。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的鍍液包括Cu、Zn、Ag、Au、Ni、Pb、Sn金屬離子。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的鍍液包括氯離子、加速劑、抑制劑、整平劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體芯片小電流刺激的電流密度為0.01ASD～1ASD。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔電鍍的預(yù)處理方法，其特征在于，所述的半導(dǎo)體芯片電鍍的電流密度為0.1ASD-10ASD。
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