[發明專利]一種改善太陽能電池片均勻性的磷擴散方法在審
| 申請號: | 201310694365.4 | 申請日: | 2013-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN103646999A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 李戰輝;李志強;劉謙;王鵬;黃治國 | 申請(專利權)人: | 上饒光電高科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/228 |
| 代理公司: | 江西省專利事務所 36100 | 代理人: | 楊志宇 |
| 地址: | 334100 江西*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 太陽能電池 均勻 擴散 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種改善太陽能電池片均勻性的磷擴散方法,屬于多晶硅太陽能電池領域。
背景技術
在太陽能電池領域中,太陽能電池片制備過程已形成標準,主要步驟為制絨(表面織構化和表面化學清理處理)——擴散(形成PN結)——邊緣刻蝕——鍍膜(減反射膜)——絲網印刷——燒結。而這些步驟中擴散形成PN結是核心步驟,它是在P型襯底的情況下,使用磷進行擴散,從而形成PN結,在N型襯底的情況下,使用硼擴散,從而形成PN結。
現多數都為P型襯底,使用磷擴散,重點步驟為:第一步使用氮氣攜帶液態磷三氯氧磷(POCL3),和其他氣體(氮,氧),一起進入爐管,在低溫800度左右進行沉積擴散,從而形成幾百納米的擴散深度;第二步通過高溫進行高溫推進再分布,使表面殘余的磷進一步向硅片里面擴散,從而形成穩定均勻N層。
擴散爐Tempress相對于其他擴散爐來說,穩定性較好,但因為擴散爐的摻雜氣體都是從管尾流進,通過尾氣抽風從管口流出(壓力)從而導致爐管內氣氛場存在差異;其次因為其控溫溫度都是使用加熱絲圍繞在爐壁,由幾個加熱絲分段同時控溫,在工藝確定的情況下,各溫區控制區域擴散后效果存在差異,從而導致太陽能電池片光電轉換效率降低。
發明內容
本發明的目的是提供一種改善太陽能電池片均勻性的磷擴散方法,通過改變氮氣流量和壓力來改善擴散均勻性,有效地控制其爐管內部氣氛場狀態及摻雜氣體流動速度,從而達到擴散工藝的穩定性及重復性,使得整管均勻性及單片均勻性都得到一定改善,從而電性能得到一定改善。
一種改善太陽能電池片均勻性的磷擴散方法,使用的硅片是電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規格的P型多晶硅片,常規酸制絨后具體步驟如下:
1、準備階段:荷蘭TEMPRESS擴散爐內通入氮氣5slm,壓力5pa;
2、進舟階段:爐內通入氮氣5slm,壓力5pa,持續時間8min;
3、出舟階段:爐內通入氮氣5slm,壓力-30pa,持續時間8min;
4、檢漏階段:爐內通入氮氣6.5slm,壓力-200pa,持續時間2min;
5、加熱階段:爐內通入氮氣13.5slm,壓力10pa,持續時間15min;
6、預氧化階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間2min;
7、擴散階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間15min,溫度780℃-820℃;
8、后氧化階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間7min;
9、推進階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間6min;
10、擴散階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間2min,溫度850℃-870℃;
11、推進階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間6min;
12、冷卻階段:爐內通入氮氣12slm,壓力12pa,持續時間15min;
13、進舟階段:爐內通入氮氣10slm,壓力-30pa,持續時間8min;
14、出舟階段:爐內通入氮氣10slm,壓力5pa,持續時間8min。
本發明對擴散工藝步驟進行相關參數調整,使得產生ECV曲線和現有工藝無差異,得到能提高整管均勻性和片內均勻性的擴散工藝,同時獲得良好的光電轉換效率。
具體實施方式
實施例:
一種改善太陽能電池片均勻性的磷擴散方法,使用的硅片是電阻率為1-3ohm.cm的156mm╳156mm規格的P型多晶硅片,常規酸制絨后具體步驟如下:
1、準備階段:荷蘭TEMPRESS擴散爐內通入氮氣5slm,壓力5pa;
2、進舟階段:爐內通入氮氣5slm,壓力5pa,持續時間8min;
3、出舟階段:爐內通入氮氣5slm,壓力-30pa,持續時間8min;
4、檢漏階段:爐內通入氮氣6.5slm,壓力-200pa,持續時間2min;
5、加熱階段:爐內通入氮氣13.5slm,壓力10pa,持續時間15min;
6、預氧化階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間2min;
7、擴散階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間15min,溫度780℃-820℃;
8、后氧化階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間7min;
9、推進階段:爐內通入氮氣6slm,壓力12pa,持續時間6min;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





