[發(fā)明專利]一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310694330.0
• 申請(qǐng)日: 2013-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN103643222B
• 公開（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張小明;彭國(guó)印;毛振樂;黃治國(guó);王鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上饒光電高科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/52
• 分類號(hào): C23C16/52;C23C16/34;H01L31/18
• 代理公司: 江西省專利事務(wù)所36100
• 代理人: 楊志宇

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，屬于多晶太陽能電池制造領(lǐng)域。

背景技術(shù)

2011年至今，我國(guó)光伏行業(yè)先后經(jīng)歷了國(guó)內(nèi)產(chǎn)能嚴(yán)重過剩，歐盟雙反出口急劇下降，美國(guó)市場(chǎng)難進(jìn)入，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)日益壯大等階段，在此過程中，整個(gè)光伏行業(yè)制造成本已經(jīng)大幅度降低，以電池價(jià)格為例，從2011年初10元/瓦降低至目前2.45元/瓦；2013年第二季度245W多晶組件（60pcs電池）已成為低效組件，即轉(zhuǎn)換效率低于17.00%電池組件客戶基本上都不能接受；因此在不增加成本的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提高電池轉(zhuǎn)換效率，降低電池成本才能在目前市場(chǎng)中保持優(yōu)勢(shì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，通過優(yōu)化PECVD工藝參數(shù)，保持與常規(guī)工藝相同的折射率和膜厚基礎(chǔ)上降低電池表面反射率同時(shí)增強(qiáng)鈍化效果，從而達(dá)到提升電池Voc、Isc、FF，即提升Eta的目的。

一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，采用PECVD鍍膜設(shè)備，第一層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為3.0:750，功率5650w，時(shí)間為160s；第二層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為7.6:600，功率5650w，時(shí)間為500-620s。

PECVD鈍化工藝是通過優(yōu)化太陽能電池制造過程中之PECVD鍍SiNx膜階段中配置參數(shù)，使其達(dá)到最優(yōu)化，使電池表面達(dá)到更好的降反射和鈍化效果，從而提升電池Voc、Isc和FF，達(dá)到提升Eta（轉(zhuǎn)換效率）的目的。此過程不需增加任何設(shè)備和其它操作，不增加成本。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于只需調(diào)整參數(shù)，無需增加任何設(shè)備和任何工藝步驟和不增加成本，適用性強(qiáng)。

具體實(shí)施例

下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說明，以助于理解本發(fā)明的內(nèi)容。 實(shí)例1-6選取姊妹硅片，經(jīng)過相同制絨、擴(kuò)散、刻蝕、絲網(wǎng)印刷和測(cè)試機(jī)臺(tái)，工藝控制點(diǎn)基本一樣。

實(shí)施例1：

一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，采用PECVD鍍膜設(shè)備，第一層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為3.0:750，功率5650w，時(shí)間為160s；第二層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為7.6:600，功率5650w，時(shí)間為500s。

實(shí)施例2：

一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，采用PECVD鍍膜設(shè)備，第一層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為3.0:750，功率5650w，時(shí)間為160s；第二層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為7.6:600，功率5650w，時(shí)間為560s。

實(shí)施例3：

一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，采用PECVD鍍膜設(shè)備，第一層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為3.0:750，功率5650w，時(shí)間為160s；第二層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為7.6:600，功率5650w，時(shí)間為620s。

實(shí)施例4：

一種基于雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，采用PECVD鍍膜設(shè)備，第一層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為3.0:750，功率5650w，時(shí)間為160s；第二層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為6.8:780，功率5650w，時(shí)間為570s。

對(duì)比例：

常規(guī)雙層膜多晶太陽能電池PECVD鈍化鍍膜的工藝，采用PECVD鍍膜設(shè)備，第一層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為3.5:650，功率5300w，時(shí)間為160s；第二層膜采用的NH₃與SiH₄流量比為6.8:780，功率5650w，時(shí)間為570s。

實(shí)施例1-3為本發(fā)明優(yōu)化后的鈍化工藝；實(shí)施例4為只優(yōu)化第一層膜的鍍膜工藝；對(duì)比例為目前常規(guī)PECVD雙層膜鍍膜工藝。各實(shí)施例和對(duì)比例的試驗(yàn)結(jié)果如下列各表所示：

表1 各PECVD鍍膜工藝實(shí)例