[發明專利]光學消融灶評估在審
| 申請號: | 201310692975.0 | 申請日: | 2013-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103860142A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | A.戈瓦里;C.T.比克勒;A.帕派奧安瑙;V.格里納 | 申請(專利權)人: | 韋伯斯特生物官能(以色列)有限公司 |
| 主分類號: | A61B5/00 | 分類號: | A61B5/00;A61B18/12 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜甜;劉春元 |
| 地址: | 以色列*** | 國省代碼: | 以色列;IL |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光學 消融 評估 | ||
相關專利申請的交叉引用
本專利申請為2010年6月16日提交的并公布為美國專利申請公開2011/0313280的美國專利申請12/816,492的部分繼續申請,其公開內容以引用方式并入本文中。
技術領域
本發明一般涉及侵入式醫療裝置和醫療手術,并且具體地,涉及對以此類手術治療的組織狀況的評估。
背景技術
微創心內消融是對于各種類型的心律失常的治療選擇。為了執行此類治療,醫生通常通過血管系統將導管插入到心臟中、使導管的遠端在異常電活動的區域中與心肌組織接觸、并且接著使遠端處或遠端附近的一個或多個電極通電,以便導致組織壞死。
通常難以確定適當的能量劑量,所述適當的能量劑量應該應用于消融手術中,以便達到期望的結果。當所述劑量不足時,非傳導消融灶不會足夠深地延伸穿過心臟壁以破壞異常傳導,使得在所述手術完成之后,心律失常可持續或反彈。另一方面,過量的劑量可導致對在消融位點處或圍繞消融位點的組織的危險損傷。已知適當的劑量隨病例改變,這取決于各種因素,諸如導管幾何形狀、心臟壁的厚度、導管電極和心臟壁之間的電接觸質量、以及在消融位點附近的血液流動。
為了改善消融手術的精密度和一致性,已經嘗試基于具有相關性的生理參數的測量來預測和控制所述消融。一些此類方法,例如在美國專利7,306,593中有所描述,該專利的公開內容以引用的方式并入本文。作為另一個例子,美國專利7,918,850描述了通過評價起搏信號的捕獲而接近實時地監測心內消融進展,該專利的公開內容以引用的方式并入本文。
用于心內消融灶評估的光學方法在本領域中也是已知的。例如,美國專利7,662,152描述了導管,該導管包括導管主體和適于消融組織的末端電極,該專利的公開內容以引用的方式并入本文。該導管還包括多個光波導,所述多個光波導適于向所述末端電極傳輸光學能量以及從其傳輸光學能量。每個波導的遠側部分延伸穿過所述末端電極的中空遠側部分,并在形成于殼體中的開口中終止。消融灶評估通過在一個或多個波長處測量光強度而實現,所述光強度是從所述導管末端輻射的光到消融組織上產生并在所述導管末端處重新捕獲的。美國專利8,123,745描述了用于類似目的的具有光學透明的導電末端的消融導管,該專利的公開內容以引用的方式并入本文。
發明內容
在下文描述的本發明的實施例提供用于測量所述身體內組織的光學特性的改進的方法和裝置。此類方法和裝置可有效地用于光學消融灶評估中。
因此,根據本發明的實施例提供了包括探針的醫療設備,所述探針具有配置成用于插入到患者的身體中的遠側段。所述探針包括至少一個光學感測單元,所述至少一個光學感測單元沿所述遠側段設置并且包括第一輻射源和第二輻射源,所述第一輻射源和第二輻射源配置成朝向接近所述遠側段的、身體內組織發射不同的相應第一波長波段和第二波長波段的光學輻射。光學傳感器配置成接收從所述組織散射的在所述第一波長波段和第二波長波段的光學輻射,并且響應于所接收的光學輻射的強度而輸出第一電信號和第二電信號。
在一些實施例中,所述第一波長波段是紅外波段,并且所述第二波長波段是可見光波段。例如,所述第一波長波段可具有介于860nm和880nm之間的峰值強度,并且所述第二波長波段具有介于710nm和730nm之間的峰值強度。
通常,該設備包括控制單元,所述控制單元被耦合以比較所述第一信號和第二信號,并且響應于該比較而輸出對所述組織的狀況的指示。該指示可基于所述第一信號和第二信號的比率。
在本發明所公開的實施例中,所述探針的遠側段包括消融元件,該消融元件配置成消融所述組織,并且所述指示提供對消融灶的評估,所述消融灶通過所述消融元件形成于所述組織中。所述消融元件可包括電極,該電極配置成與所述組織接觸并且通過施加射頻能量至所述組織來消融所述組織,其中所述控制單元配置成當所述消融灶在施加所述射頻能量的過程中形成時,提供對所述消融灶的評估。在一個實施例中,所述探針的遠側段配置成與患者的心臟內的心內膜組織接觸并且對其進行消融。
在一些實施例中,所述第一輻射源和第二輻射源包括嵌入所述遠側段中的發光二極管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韋伯斯特生物官能(以色列)有限公司,未經韋伯斯特生物官能(以色列)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310692975.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





