[發明專利]增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法

有效

• 申請號: 201310692912.5
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103646998A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 高斐;王皓石;劉生忠;訾威;陳彥偉;武怡;宋飛鶯;馬笑軒;肖鋒偉
• 申請（專利權）人: 陜西師范大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 西安永生專利代理有限責任公司 61201
• 代理人: 高雪霞

1.一種增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：在硅的N-I-P層與前、背兩個透明導電氧化物層之間分別刻蝕周期邊長為200～500nm的鋸齒狀三角一維光柵，其中硅的N-I-P層前表面的三角一維光柵與硅的N-I-P層背表面的三角一維光柵橫向錯位20～160nm。

2.根據權利要求1所述的增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：所述的鋸齒狀三角一維光柵的周期邊長為200nm，其中硅的N-I-P層前表面的三角一維光柵與硅的N-I-P層背表面的三角一維光柵橫向錯位20～60nm。

3.根據權利要求1所述的增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：所述的鋸齒狀三角一維光柵的周期邊長為300nm，其中硅的N-I-P層前表面的三角一維光柵與硅的N-I-P層背表面的三角一維光柵橫向錯位30～120nm。

4.根據權利要求1所述的增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：所述的鋸齒狀三角一維光柵的周期邊長為400nm，其中硅的N-I-P層前表面的三角一維光柵與硅的N-I-P層背表面的三角一維光柵橫向錯位40～160nm。

5.根據權利要求1所述的增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：所述的鋸齒狀三角一維光柵的周期邊長為500nm，其中硅的N-I-P層前表面的三角一維光柵與硅的N-I-P層背表面的三角一維光柵橫向錯位50～150nm。

6.根據權利要求1所述的增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：所述的鋸齒狀三角一維光柵的周期邊長為400nm，其中硅的N-I-P層前表面的三角一維光柵與硅的N-I-P層背表面的三角一維光柵橫向錯位120nm。

7.根據權利要求1所述的增強硅薄膜太陽電池光吸收的織構橫向錯位方法，其特征在于：所述的透明導電氧化物層是摻鋁氧化鋅層或銦錫氧化物層。