[發明專利]去除二氧化碳中乙烯的氧化鋅納米柱陣列純化系統的方法

有效

• 申請號: 201310690940.3
• 申請日: 2013-12-17
• 公開（公告）號: CN103736441A
• 公開（公告）日: 2014-04-23
• 發明（設計）人: 金向華;孫猛;李荷慶
• 申請（專利權）人: 蘇州金宏氣體股份有限公司
• 主分類號: B01J20/06
• 分類號: B01J20/06;B01J20/30;B01J20/28;B01D53/02;C01B31/20;C01G9/02
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 周新亞

1.一種制備用于去除二氧化碳中乙烯的氧化鋅納米柱陣列純化系統的方法其特征是該方法主要分為三個步驟，分別是準備工作、氧化鋅納米柱陣列制備、基板安裝，具體工藝步驟如下：

步驟一，準備工作：

首先準備各種原材料，并配制各個配比的溶液；

去離子水；

無水乙醇，純度大于99.5%；

醋酸鋅，Zn(CH₃COO)₂·2H₂O，含量>99.8％的粉末；

氫氧化鋰，LiOH·H₂O，含量>99.7％的粉末；

硝酸鋅，Zn(NO₃)₂·6H₂O，含量>99.5％的粉末；

氨水，NH₃·H₂O，NH₃含量>25％的溶液；

恒溫水浴槽，控溫范圍室溫～300℃，控溫精度0.1?/?0.01℃；

旋涂機，轉數300?-?10000?轉/分；

燒結爐，控溫范圍室溫～1200℃；

步驟二，氧化鋅納米柱陣列制備：

（1）將Zn(CH₃COO)₂·2H₂O溶液加到適量的無水乙醇中，然后加熱回流0.5h，自然冷卻；

（2）再加入一定量的LiOH·H₂O，超聲反應1?h即可獲得穩定的ZnO?溶膠；

（3）溶膠制備完成后，利用提拉法、旋涂法在基板表面制備一層ZnO顆粒膜；

（4）將ZnO顆粒膜在高溫下熱處理2h，備用；

（5）常溫下將Zn(NO₃)₂·6H₂O溶解在去離子水中，再加入過量氨水，在磁力攪拌器上攪拌均勻，并加入適量的銅，錳，鋅，鉑，鈦等元素的金屬鹽用作活性組分對ZnO納米柱陣列進行改性，此溶液作反應液備用；

（6）將上述沉積單層ZnO顆粒膜的基板豎直放入配好的反應液中；

（7）在恒溫水浴中反應2?h即在襯底上制備了有序陣列；

（8）有序陣列在高溫下熱處理2?h得到ZnO納米柱陣列；

（9）利用上述步驟在多個基板上制備ZnO納米柱陣列；

步驟三，基板安裝：

在純化器內部，將基板上下排列，其中第一張基板右側連接純化器壁，左側留有空缺，第二張基板左側連接純化器壁，右側留有空缺，依次這樣排列直至填充純化器內部，組成氧化鋅納米柱陣列純化系統。

2.根據權利要求1所述的制備用于去除二氧化碳中乙烯的氧化鋅納米柱陣列純化系統的方法，其特征是所述的步驟二中Zn(CH₃COO)₂·2H₂O和無水乙醇混合比例為n(Zn(CH₃COO)₂·2H₂O)/n(C₂H₅OH)?在0.001到0.003之間。

3.根據權利要求1所述的制備用于去除二氧化碳中乙烯的氧化鋅納米柱陣列純化系統的方法，其特征是所述的步驟二中Zn(CH₃COO)₂·2H₂O和無水乙醇混合后加熱回流的最低溫度為60℃，最高溫度為80℃。

4.根據權利要求1所述的制備用于去除二氧化碳中乙烯的氧化鋅納米柱陣列純化系統的方法，其特征是所述的步驟二中LiOH·H₂O加入的量和Zn(CH₃COO)₂·2H₂O的比例為n(Zn(CH₃COO)₂·2H₂O)/n(LiOH·H₂O)在0.5到0.9之間。