[發明專利]次級模塊化各極獨立式永磁直線容錯電機有效
| 申請號： | 201310690771.3 | 申請日： | 2013-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN103647431A | 公開（公告）日： | 2014-03-19 |
| 發明（設計）人： | 趙文祥;房卓婭;吉敬華;劉國海;張新華 | 申請（專利權）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | H02K41/03 | 分類號： | H02K41/03 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 次級 模塊化 各極獨 立式 永磁 直線 容錯 電機 | ||
【權利要求書】：
1.次級模塊化各極獨立式永磁直線容錯電機，包括初級（1）和次級（5），初級（1）和次級（5）之間存在氣隙；初級（1）的長度小于次級（5）的長度，其特征在于，初級（1）上交替分布有多個電樞齒（3）和勵磁齒（2），每個電樞齒（3）上均繞有一套電樞繞組（7），每個勵磁齒（2）的頂面貼裝有永磁體（4），電樞齒（3）的高度等于勵磁齒（2）的高度加上永磁體（4）的高度，多個永磁體（4）的充磁方向呈N-S、S-N交替排列，充磁方向均為平行于電樞齒（3）的中心軸線；次級（5）由多個獨立的、導磁材料制成的扇形結構（6）構成；
初級（1）與次級（5）的極距比滿足：τs/τp=1±1/m，
其中τs為初級極距，τp為次級極距，m=nN，N為所述次級模塊化各極獨立式永磁直線容錯電機的相數，n為正整數1，2，3，4，……；“±”的選取以及m值的選取規則是要保證最終得到的電機的反電勢波形為相位正確的正弦波。
2.根據權利要求1所述的次級模塊化各極獨立式永磁直線容錯電機，其特征在于，所述永磁體（4）的寬度等于勵磁齒（2）的寬度。
3.根據權利要求1所述的次級模塊化各極獨立式永磁直線容錯電機，其特征在于，多個扇形結構（6）之間留有空隙、且等間距分布。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江蘇大學，未經江蘇大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310690771.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
