[發(fā)明專利]一種真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310690250.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104711518A | 公開(公告)日: | 2015-06-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃國興;孫桂紅;祝海生;黃樂;梁紅;吳永光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 湘潭宏大真空技術(shù)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/22 | 分類號(hào): | C23C14/22 |
| 代理公司: | 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253 | 代理人: | 馮子玲 |
| 地址: | 411101 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空鍍膜 生產(chǎn)線 管道 耦合 裝置 | ||
1.一種真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于,包括:一上耦合件和一下耦合件,所述上下耦合件活動(dòng)連接并密封,所述上下耦合件分別固定連接同一管道;所述上下耦合件耦合密封時(shí),管道連通;所述上下耦合件分離時(shí),管道斷開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述上耦合件包括上固定法蘭和上管道接頭,其中所述上固定法蘭和所述上管道接頭固定連接相通,且連接處密封。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述下耦合件包括耦合法蘭、波紋管、下固定法蘭和下管道接頭,其中所述耦合法蘭、波紋管、下固定法蘭和下管道接頭依次連接相通,且各連接處均密封;耦合法蘭與波紋管通過壓塊固定。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述上下耦合件經(jīng)所述上固定法蘭與所述耦合法蘭耦合密封實(shí)現(xiàn)兩者耦合密封。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述下固定法蘭與一移動(dòng)組件相連,且在所述移動(dòng)組件作用下傳動(dòng)所述下固定法蘭使得所述下耦合件運(yùn)動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述管道耦合裝置進(jìn)一步包括至少一個(gè)氣缸,所述氣缸設(shè)置在所述耦合法蘭和所述下固定法蘭之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述氣缸為兩個(gè),分設(shè)于所述波紋管的兩側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述氣缸包括一氣管連接件,所述氣缸通過氣管連接件與所述耦合法蘭連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述氣缸為薄型氣缸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空鍍膜生產(chǎn)線用管道耦合裝置,其特征在于:所述耦合法蘭開口處設(shè)有濾網(wǎng)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于湘潭宏大真空技術(shù)股份有限公司;,未經(jīng)湘潭宏大真空技術(shù)股份有限公司;許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310690250.8/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





