[發明專利]一種提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法有效
| 申請號： | 201310690078.6 | 申請日： | 2013-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN104711664A | 公開（公告）日： | 2015-06-17 |
| 發明（設計）人： | 楊凱;閆志瑞 | 申請（專利權）人： | 有研新材料股份有限公司;有研半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/28 | 分類號： | C30B13/28;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100 | 代理人： | 劉秀青;熊國裕 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 直徑 區熔硅單晶 生產 質量 方法 | ||
1.一種提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，該方法主要包括籽晶熔接、引晶、放肩、等徑、收尾步驟，其特征在于，在放肩過程中，通過以下步驟確定并控制該過程中加熱線圈的功率：(1)根據所要生產的硅單晶的直徑將欲放肩形成的漏斗形熔區劃分為數個生長區間；(2)然后根據所劃分的生長區間確定每個生長區間的生長時間；(3)最后根據所確定的生長時間確定每個生長區間內加熱線圈需要增加的功率。
2.根據權利要求1所述的提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，其特征在于，數個生長區間與其對應的生長時間在坐標系中的關系曲線為右開口拋物線，其中橫坐標表示生長時間，縱坐標表示生長區間。
3.根據權利要求1所述的提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，其特征在于，每個生長區間的生長時間與加熱線圈需要增加的功率在坐標系中的關系曲線為左開口拋物線，其中橫坐標表示生長時間，縱坐標表示增加的功率。
4.根據權利要求1所述的提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，其特征在于，所述大直徑區熔硅單晶的直徑為6英寸以上。
5.根據權利要求1所述的提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，其特征在于，生產6英寸區熔硅單晶，欲放肩形成的漏斗形熔區劃分為7個生長區間，衣次為0～70mm、70～90mm、90～110mm、110～130mm、130～140mm、140～145mm、145～150mm。
6.根據權利要求5所述的提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，其特征在于，對應每個生長區間的生長時間依次為：25～55s、25～55s、35～65s、55～85s、55～85s、75～105s、125～155s。
7.根據權利要求5所述的提高大直徑區熔硅單晶生產質量的方法，其特征在于，對應每個生長區間的加熱線圈需要增加的功率百分比為0～1％、0～1％、0～1％、0～1％、02～08％、03～07％、04～06％。
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