[發明專利]電磁力吸引測量細胞力學性能的儀器

有效

• 申請號: 201310689977.4
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103710262A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李宏
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: C12M1/42
• 分類號: C12M1/42;C12M1/36;C12M1/34
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

技術領域

本發明屬于生物醫學工程領域，涉及一種電磁力吸引測量細胞力學性能的儀器。

背景技術

隨著生物醫學工程研究的迅速發展，細胞微觀功能與特性的定量化研究日益增強，單細胞的力學性能的測量方法也在不斷地發展和豐富，但總體來說，目前的測量方法仍然較少，且存在費用高昂、測量精度低等問題：微管吸吮技術早期被應用于力學細胞生物學研究，但局限于通量低、每次只能實現對單細胞檢測，且由于受測試周期較長，體外難以長時間維持細胞功能狀態的限制，難于獲得大樣本的統計數據；原子力顯微技術是在掃描隧道顯微技術基礎上發展而來的，具備更廣闊的應用空間，但難以測得分子間低結合強度的相互作用，而且蛋白質純化和功能化表征的過程相對繁瑣；光鑷操控技術是以一種非機械接觸方式完成操控的儀器，但它不適用于作用強度大的分子體系，且對溫度敏感，易受載體布朗運動的影響；平行流室技術是一種最新的接近生理情況的實驗技術，但在剪切流動下分子間二維反應動力學理論和模型尚不完善，難以全面地量化分子間結合與解離動力學的信息。

發明內容

本發明針對現有技術的不足，提出了一種電磁力吸引測量細胞力學性能的儀器。

本發明包括DA轉換模塊，最小系統模塊、液晶控制模塊、輸出隔離模塊和電源模塊。

所述的DA轉換模塊包括第一諧振電阻R24，第一無源晶振X1，第一旁路電容C20，第二旁路電容C21，第一濾波電容C19，第一限流電阻R22，第二限流電阻R23，第一直插LED燈DS5，第二直插LED燈DS6，第一DB9接口J3，DA芯片U9，FLASH芯片W1。

DA芯片U9第1引腳接TOIM-RST引腳；DA芯片U9第2引腳接TOIM-BR引腳；DA芯片U9第3引腳接RD232引腳；DA芯片U9第4引腳接TD232引腳；DA芯片U9第5引腳懸空不接；DA芯片U9第6引腳與第一諧振電阻R24的一端、第一旁路電容C20的一端、第一無源晶振X1的一端相接；第一諧振電阻R24的另一端與第一無源晶振X1的另一端、DA芯片U9第7引腳、第二旁路電容C21的一端相接；第二旁路電容C21的另一端和第一旁路電容C20的一端相接并接GND；DA芯片U9第8引腳接GND；DA芯片U9第9引腳與第二限流電阻R23的一端相接；第二限流電阻R23的另一端和第二直插LED燈DS6的陰極相接；DA芯片U9第10引腳與第一限流電阻R22的一端相接；第一限流電阻R22的另一端和第一直插LED燈DS5的陰極相接；第一直插LED燈DS5的陽極、第二直插LED燈DS6的陽極與電源VCC3.3相連；DA芯片U9第11、12、13引腳懸空；DA芯片U9的第14引腳與第一DB9接口J3的第2引腳相接；DA芯片U9的第15引腳與第一DB9接口J3的第6引腳相接；DA芯片U9的第16引腳與第一濾波電容C19的一端及電源VCC3.3相接；第一濾波電容C19的另一端接GND。FLASH芯片W1的第1引腳和引腳FLASH_CS相連；FLASH芯片W1的第2引腳和引腳SPI1_MISO相連；FLASH芯片W1的第3、7、8引腳和電源VCC3.3相連；FLASH芯片W1的第4引腳和GND相連；FLASH芯片W1的第5引腳和引腳SPI1_MOSI相連；FLASH芯片W1的第6引腳和引腳SPI1_SCK相連。

所述的最小系統模塊包括芯片STM1，第一有源晶振U1，第二濾波電容C2，第三濾波電容C3，第四濾波電容C6，第五濾波電容C7，第六濾波電容C1，第七濾波電容C5，第一電感L1，第一接插件U2，第二接插件U3,?芯片STM1型號為STM32F103RBT6。