[發(fā)明專(zhuān)利]反鐵電晶體鈮镥酸鉛-鈦酸鉛及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310689956.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103710756A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉穎;龍西法;李修芝;王祖建;何超;林菊 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C30B29/30 | 分類(lèi)號(hào): | C30B29/30;C30B29/32;C30B11/00;H01L41/08 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 350002 *** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電晶體 鈮镥酸鉛 鈦酸鉛 及其 制備 方法 | ||
1.一種反鐵電晶體材料鈮镥酸鉛-鈦酸鉛,其特征在于:該材料化學(xué)式為(1-x)Pb(Lu1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3,其中,0<x<0.3,屬于典型的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反鐵電晶體材料,特征在于:該材料的化學(xué)組成為0.93PLN-0.07PT。
3.一種權(quán)利要求1所述的反鐵電晶體材料的制備方法,采用高溫溶液法制備,包括如下步驟:
(1)將初始原料PbO或Pb3O4、Lu2O3、TiO2、Nb2O5按晶體的化學(xué)組成進(jìn)行配比;
(2)助溶劑采用PbO和Pb3O4中的一種,與H3BO3和B2O3中的一種作為復(fù)合助溶劑;
(3)將晶體原料和助溶劑在容器中攪拌混合研磨;
(4)將混合均勻的粉料裝入鉑金坩堝中,并把鉑金坩堝置于晶體生長(zhǎng)爐中化料;
(5)在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中將原料加熱至900-1200℃之間,恒溫一定時(shí)間,然后以每天1-20℃的速率降溫;生長(zhǎng)結(jié)束,以5-40℃/h降溫退火,后取出晶體。
4.一種權(quán)利要求1所述的反鐵電晶體材料的制備方法,采用頂部籽晶法制備,包括如下步驟:
(1)將初始原料PbO或Pb3O4、Lu2O3、TiO2、Nb2O5按晶體的化學(xué)組成進(jìn)行配比;
(2)助溶劑采用PbO或Pb3O4和H3BO3或B2O3復(fù)合助溶劑;
(3)將晶體原料和助溶劑在容器中攪拌混合研磨;
(4)將混合均勻的粉料裝入鉑金坩堝中,并把鉑金坩堝置于晶體生長(zhǎng)爐中化料;
(5)在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中將原料加熱至900-1200℃之間,恒溫一定時(shí)間;然后用高溫溶液法生長(zhǎng)的籽晶找到過(guò)飽和溫度,在過(guò)飽和溫度引入籽晶生長(zhǎng),生長(zhǎng)過(guò)程中晶轉(zhuǎn)速率為5-30rpm,降溫速率為每天0.1-5℃;生長(zhǎng)結(jié)束,以5-40℃/h降溫退火,后取出晶體。
5.一種權(quán)利要求1所述的反鐵電晶體材料的用途,其特征在于:該材料用于反鐵電儲(chǔ)能材料領(lǐng)域的器件上。
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