[發明專利]陣列基板及其制作方法，顯示裝置

無效

• 申請號: 201310689196.5
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN103681488A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 王凱
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底基板上形成包括薄膜晶體管、柵極引線及數據線引線的圖形，所述柵極引線和數據線引線位于PAD區；

形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使所述陣列基板對應的PAD區的絕緣間隔層的厚度小于其它區域的絕緣間隔層的厚度，并在對應柵極引線和數據線引線對應區域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出所述柵極引線和數據線引線；

形成包括第二透明電極、第一連接電極和第二連接電極的圖形，使所述第一連接電極通過所述第一過孔連接所述柵極引線，所述第二連接電極通過所述第二過孔連接所述數據線引線。

2.如權利要求1所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述形成絕緣間隔層，第一透明電極及鈍化層的圖形，使所述陣列基板對應的PAD區的絕緣間隔層的厚度小于其它區域的絕緣間隔層的厚度，并在對應柵極引線和數據線引線對應區域分別形成第一過孔和第二過孔，以暴露出所述柵極引線和數據線引線的步驟具體包括：

形成絕緣材料薄膜，通過構圖工藝去除所述第一透明電極與薄膜晶體管的漏極連接區域、所述柵極引線區域及數據線引線區域的絕緣材料薄膜，以分別形成連接過孔、第一子過孔和第二子過孔的圖形，且使得PAD區的絕緣材料薄膜的厚度小于其它區域的絕緣材料薄膜的厚度，以形成所述絕緣間隔層；

通過構圖工藝在非PAD區形成所述第一透明電極的圖形，且所述第一透明電極通過所述連接過孔連接薄膜晶體管的漏極；

形成鈍化層，通過構圖工藝分別在所述第一子過孔和第二子過孔對應區域繼續刻蝕，直到分別暴露出所述柵極引線和數據線引線，以形成所述第一過孔和第二過孔。

3.如權利要求2所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述陣列基板對應的PAD區的絕緣間隔層厚度為其它區域的絕緣間隔層厚度的一半。

4.如權利要求2所述的陣列基板制作方法，其特征在于，非PAD區的絕緣間隔層厚度為

5.如權利要求1～4中任一項所述的陣列基板制作方法，其特征在于，所述絕緣間隔層為有機材料制成。

6.一種陣列基板，包括形成在襯底基板上的薄膜晶體管、第一透明電極、第二透明電極、柵極引線及數據線引線，所述柵極引線及數據線引線位于PAD區，還包括位于薄膜晶體管、柵極引線及數據線引線上方的絕緣間隔層，所述第一透明電極位于所述絕緣間隔層之上的非PAD區，第二透明電極位于第一透明電極上方，兩者之間間隔有鈍化層，其特征在于，且在所述PAD區的絕緣間隔層的厚度小于其它區域的絕緣間隔層的厚度，所述絕緣間隔層對應PAD區形成有第一過孔和第二過孔，絕緣間隔層上方還形成有與所述第二透明電極位于同一層的第一連接電極和第二連接電極，所述第一連接電極和第二連接電極分別通過第一過孔和第二過孔連接所述柵極引線和數據線引線。

7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述PAD區的絕緣間隔層厚度為其它區域的絕緣間隔層厚度的一半。

8.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極連接所述薄膜晶體管的漏極。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求6～8中任一項所述的陣列基板。