[發(fā)明專利]一種稀土永磁體及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310688864.2
• 申請(qǐng)日: 2013-12-16
• 公開（公告）號(hào): CN104715877B
• 公開（公告）日: 2019-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈕萼;陳治安;陳國安;李正;趙玉剛;饒曉雷;胡伯平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01F1/057
• 分類號(hào): H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 北京航忱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11377
• 代理人: 陳立航;郭紅燕

1.一種稀土永磁體，由合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制得，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比為8.0～15％的R^1a、原子百分比為5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是釹元素和選自包括釔和鈧在內(nèi)的稀土元素中的至少一種，B是硼元素，T¹是鐵元素或鐵和鈷兩種元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比為10～25％的R^1b、原子百分比為5.1～7.5％的B、原子百分比為0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是選自包括釔和鈧在內(nèi)的稀土元素中的至少一種，M¹是選自鋁、銅、鋅、鎵、銦、鍺和錫中的至少一種元素，T²是鐵元素、鈷元素或鐵和鈷兩種元素，

所述合金R^1a-T¹-B比例為60～85％，其余為所述合金R^1b-T²-M¹-B，

所述磁體上垂直于取向方向的表面的面積與除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面積之比大于等于0.5，

鏑、鋱或鈥中的至少一種元素，通過晶界擴(kuò)散由所述磁體的表面擴(kuò)散進(jìn)入所述磁體的內(nèi)部。

2.一種制造稀土永磁體的方法，包括以下步驟：

a、用合金R^1a-T¹-B和合金R^1b-T²-M¹-B制造毛坯磁體，

所述合金R^1a-T¹-B中含有原子百分比為8.0～15％的R^1a、原子百分比為5.1～7.5％的B和余量的T¹，其中R^1a是釹和選自包括釔和鈧在內(nèi)的稀土元素中的至少一種，B是硼元素，T¹是鐵元素或鐵和鈷兩種元素，

所述合金R^1b-T²-M¹-B中含有原子百分比為10～25％的R^1b、原子百分比為5.1～7.5％的B、原子百分比為0～7％的M¹和余量的T²，其中R^1b是選自包括釔和鈧在內(nèi)的稀土元素中的至少一種，所述M¹是選自鋁、銅、鋅、鎵、銦、鍺和錫中的至少一種元素，所述T²是鐵元素、鈷元素或鐵和鈷兩種元素，所述合金R^1a-T¹-B比例為60～85％，其余為所述合金R^1b-T²-M¹-B；

b、對(duì)所述毛坯磁體進(jìn)行機(jī)加工并清潔其表面，得到基材磁體，所述基材磁體的尺寸滿足：所述基材磁體上垂直于取向方向的表面的面積與除所述垂直于取向方向的表面之外的其他表面的面積之比大于等于0.5；

c、在所述基材磁體的表面布置元素R，所述元素R是鏑、鋱或鈥中的至少一種；

d、熱處理布置有所述元素R的所述基材磁體，使附著到所述基材磁體表面的所述元素R擴(kuò)散進(jìn)入所述基材磁體的內(nèi)部；

e、加工所述基材磁體形成成品磁體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造稀土永磁體的方法，其特征在于，在所述步驟c中，通過在所述基材磁體的表面布置粉末來布置所述元素R，所述粉末包括以下粉末中的至少一種：所述元素R的氟化物粉末、氫化物粉末、硝酸鹽粉末、硫酸鹽粉末、所述元素R與元素M²的合金粉末，所述元素M²是鐵、鈷、銅、鋁、鋅、鎵、銦、鍺、錫中的至少一種，其中所述R的質(zhì)量百分比不少于50％。